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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.
0 }# O% z: v# z2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。. D- S. b+ m. T$ `$ F4 d8 V

$ s) O1 Q8 z9 ]/ q8 z) vVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處! w! M0 t) |0 y2 K) H1 e9 b- T
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
2 w5 Q, V/ M& K+ W  O& l; o使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
; o& b! [# o) p6 ?! |- w
) ^1 e) e9 k5 ROPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
! @. G) o5 i0 o1 i# Z  ~但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
( y5 }( i6 G! @: a6 v- C* i, b1.DRC 檢查軟體運算時間++
' F+ Y' \$ ]% E% l( z! x( q! Z. Z2.RC Extraction 不準 運算時間+++# d1 P6 S! @9 |7 W
3.P&R 時間 +++
6 x+ e8 _! m0 V# U6 E# e$ g4.最重要的原因 製程良率 ----( U" s0 b6 H" Z$ R, g0 s

; M: n; L1 e0 n  o  e' _Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
/ a4 T8 t5 k5 P7 D( h' V當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多0 |7 |2 }/ o( ?; J8 V1 _
所以 90度角 還是證明他的價值存在
% V5 C" ]2 x. V# q0 r* L
  s' H, x' E8 v' v/ y1 R% X至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況
/ `/ z; h/ Z$ E1 E& r% ~而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下$ D* N" e. q5 H6 j) u
4 r2 l9 F7 R. {8 T
得到以下結論- V9 {' q. a2 ^; v0 S, i

- ?( Z3 P6 K; ]% ?6 D目前的製程技術已經到哪邊了???
) [, k! a5 p- ]: L8 n你所需要的製程技術是否需要???
; `* W  L$ I. g' }: o) L* ~DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
  c' E, O7 O0 \) O5 c0 C2 _1 L
7 F% p7 t6 x9 O0 e2 s4 }, J# l其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  ! T3 h. P) g1 K9 C2 ^

% i7 X# x8 B  H7 o我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
+ Y( c$ y" {+ s3 r
( _3 i( k2 B! f5 V/ a" _/ L所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
4 n0 |+ x3 U* y: y0 W" V1 T! \
. S9 _, b8 W/ D6 F3 q重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的- E4 G9 B- n) P: ^) l6 [) c# b4 n
8 x  L2 }9 \7 f; ~6 J
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下- D. y  N7 {( O
又學到好多事物" D( o% S' [" P  ^1 w' |9 b
第一次知道layout可以90度以外
7 E& x* L0 D* r4 e5 ?3 y謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦5 Z& m6 D) E9 w* c
我同學做SAR ADC因為速度慢1 n3 [: f  k/ T, E6 y
繞線其實有接到就好了
9 @1 o3 W. r) j( B; S# f9 q直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
2 V- J+ [% D: `. d$ _做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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