|
東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
; X! Q+ N' w4 M5 I* _
& m' }7 y% l; s6 d東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
4 o4 I& V& j, z/ }) q2 n1 k' ]
9 V' T, J4 [4 G8 A0 H" w四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。) c. {2 h$ i3 z* c. W
' X. }4 I$ X; o0 v" ]展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。- p. H6 c! \$ j7 b( B/ E7 [; Z J
1 L& n# Z' y. B& i3 d, U" T+ CFab 5概況
) F4 ]1 F/ c2 ^3 M大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層6 B' w' k$ T/ S
地上建築面積: 約38,000m2 8 T: {, Y+ c8 \! X7 [6 f
總建築面積: 約187,000m2 0 b1 n5 ~& c0 ^5 v: s$ E
開工時間: 一期:2010年7月 , C4 j/ k" d0 Q" f; s
二期:2013年8月 E G' O4 G; f1 N0 z+ Z
完工時間: 一期:2011年5月 6 ~( H+ F e0 g* g1 c- A0 z
二期:2014年夏(目標)4 S) E+ l8 h5 P) t# O
投產時間: 一期:2011年7月
# S# ?* ?6 y3 U二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
& L7 K9 @" E/ S- }: V; n5 a( e' }
四日市業務部概況
! D# r: G0 D0 u) f. J; R0 g位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
9 P, o1 i! i# g( E* _成立時間: 1992年1月
4 c6 b- X0 e ]5 E9 ~總經理: Tomoharu Watanabe
2 E$ R: T+ e3 ]8 u9 {0 |員工數量: 約5,200名
) D( k. I' o- r# i(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) 7 t- i5 z, l: V$ I5 X
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
0 z8 e2 b4 A, ?. m- Z* w9 U$ S4 W總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
|