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老實說,
$ p, R2 d6 `6 J- }你問的問題很廣,
5 n5 B( X' }- p0 \) I+ k4 m1 P會根據不一樣的條件,5 _2 N7 B$ [$ m/ H
而有不同的答案。
4 C/ f# h7 S. X, |% w! q% c( i0 @* N- T4 _% H/ U3 X- H
以nmos,body=source=ground的例子來說,
2 f S3 k9 z$ _, @) w" D, _ H- Y3 f% m
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,1 }2 c# g* _( i) Z/ @( l
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,- Y& P% v/ c* F# E: O
一般來說,應該不會," J; R q4 c. J% H. v b
因為SiO2的critical electric field滿大的,( ^2 j) X* T q5 A& ^
3.3V device gate oxide還滿厚的。
4 q# p, B' E6 jvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,- X5 Y# z# O9 C, i
這個值通常很大,0 ?, r- |; B! ?
因為body=source=ground。: I% y, e2 Q# { L
另外,如果channel length比較短,+ \3 O) n7 v' h
這個值 "可能" 會跟channel length有關,( b) r- ?6 \3 N- K, Y4 }( p
但如果channel length大到某種程度後," Q3 b) k* e5 f2 y& s2 T8 Q
應該也沒影響力了。! @; E6 } ^+ {7 }6 N* x$ E
7 [, d6 l0 x- ?! |0 G5 R i(2) 如果gate=bias voltage,9 l0 p) }: W: a- F; J# q, \
這顆nmos可能當current source使用,
; x+ w4 ?" T% o6 d; ?+ D這時候就要考慮其hot-electron的效應,, d- G8 ^/ d8 q+ ~; D1 Y+ M
因為單位面積的current可能滿大的,( x2 `7 I& B$ I
而vgd也不小。5 j, k: ^4 e- n) m
0 `) \- ~! R; X( V# s) G- F(3) 如果gate=darin=high-voltage,
' s- S- L8 Z; p( W/ Z+ v, ]這樣的單位電流會大到不行吧!: o% h: K* e$ A) q J& E
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2
/ m9 O& n8 N0 z8 y" g: I3 g" L4 Q* F0 Q
所以通常是case2會是要考慮的問題,/ @! j& j( Z/ V3 ~2 |
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
8 k& L/ ^' {! K" q+ rn.n |
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