2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：
. E2 f/ ~7 x& K) M9 ?& A& v8 y
不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，

在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，
* d9 U6 u( {! Q6 e# m
) ?; r' c" ~' @: x% j2 A8 xMC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10
3 s! m9 Z: c+ ^  O3 l& x
上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?

4 d6 y( L4 l  w! B2 x+ E1 e是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?

麻煩大家了

KKboy

1 R. J. ~0 _; M3 X0 R
$ P' s# m4 _1 ias200112同學 您好，
) E5 ~! Z$ T5 a3 y+ G$ e6 \. a7 O5 f好巧不巧我去年有比過此比賽，
" I9 Z- R7 V' l: N我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
" `2 k* a% E. q$ S. `! D此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
; {! U* B* h% F' v3 qDNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
8 c0 J- Y6 f) m1 R$ N) k而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
  \5 L5 ?) r: I/ S但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......
. i. A$ b5 ^5 R/ K( K
) m) x) T  `) z' u4 N/ w如果有錯請見諒
希望對你有幫助，祝你今年能得名。