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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis
, S% K" l m* C" w7 F在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner
2 D, j5 S' F0 H8 U# f/ r* q: l5 z5 ], w; J4 R; H# r
Device Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況 4 c, z+ d# h3 W
電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低
' P) c8 `( q* ]7 w4 F7 m. F/ D" Q! u3 L" i4 D) P* A
這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case7 L& W7 ^3 H! J4 P0 r( _. L
如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.2 _2 L% Y: B: j ^8 \" b. f
$ [2 e* w' j/ u
IC製造出來的良率 自然就會提高很多.1 M: m) J' c8 ?; {2 D4 K& o4 v
2 o, C C' C- f
至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料
( q. P, p. D T. _9 r+ t3 f大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法
! c& O5 k. p4 L( j. C3 T: Y& d; F在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值
# ]; C2 c2 y* m1 l( G1 ~(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免3 L8 j# U _0 a. T. |) k
下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)3 g2 B0 v4 B" e$ `$ P: J* h- v8 n
0 x5 M' ~7 @. F4 h8 g% q0 P
範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升* w q) X- G+ w& j; K% }5 p
範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好
* b+ {6 q) q+ S3 P' V) {3 P, y/ Z4 z: z8 d
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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