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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.187 B/ b) t/ ?; a' p

& e, w) f9 C: t6 M---RUN DRC----------8 Y$ i+ B6 T2 y, T, A4 n; A% ], m8 S
出現error
6 `" X0 W4 w7 I# F. g5 h, C% _0 T9 \- |! |9 A* p
1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors- w1 B3 ^! r2 Q( a- I) ~
(OD WITHOUT IMPLANT)3 l! j8 l5 w1 O% P" @* l

; j. Y4 b: k+ W0 l8 t8 F( `7 K1 Q2.CHECK M1.E.2- 8 errors( X& B" ~! {+ O# Q8 x' D
M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond9 h% L0 ^% n2 G- U
C0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite
' {: {# ~7 u5 A$ b' eINT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
7 Y' f6 v# X( H* C1 I  C( a& v
! X; @1 J4 V6 I5 r( `4 G$ W1 {3.CHECK P0.R.3 -1 errors; `( m! ~7 k1 B
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)
" L' C* I5 i: h0 R8 @1 a7 VCHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY  u. Q& @/ M; h1 R
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print0 ?  D7 |7 ~, U3 \0 g  U: W
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)- p4 S- O  z4 S4 j' N
., o' u, C; f* i! X- }# @0 W
.
2 K# [  [, _. y' c.5 G6 e2 b' ~' I1 E" E- l. Q5 X
類似錯誤9 B0 G! E  x& k4 X* O8 @" Q

* z. n4 t5 p! L; K0 ?) [' c2 u
  f  f8 D' n1 K2 n5 z
, @- W8 d/ L( v! W6 h6 i: c/ c, a: t, n+ o/ \2 B+ n
1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,
1 p( T+ X& |4 J6 O, Z, l希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?" s) |8 O1 L6 Y# V' q
ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
. E/ d! t7 z1 v, ]+ j1 l2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切% a& g. |  C1 d8 T" r
都是憑經驗9 b5 O2 Y& |0 }( |* m) M: P5 s+ I: \
. e  @4 D  z6 r' @  K, q% T4 y
初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant
- ^3 s& Z8 {0 K" I2.是左右MT1 extension co 需0.0um' f2 l  l2 b3 i2 `: B+ _* [" ^+ h
3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)  b( ]: B$ J- k- h
我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程
0 h# e# s' R0 |- D1 R; `0 v7 N1 }8 T7 q) e
這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?2 y) t% X4 P6 t3 ]4 s
第三個coverage 可以忽略/ _# J& s: V/ H1 d5 o+ E
要下線時再解決即可
! K+ A7 [$ @/ v6 ~" V: J  ~+ X5 M! E! I' V
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
$ O% w, v) G% J, f8 Q應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表
5 |+ y* C6 T! A7 Y5 k  Z感覺您mos是自己建的?# j$ G# N1 X) V) d  P" d6 L
第三個coverage 可以忽略# L' ?# r, S" m. g
要下線時再解決即可; j3 _4 ]# R% z$ C8 K
2 N* ]8 l' g2 V" Z! k
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
0 q! R! e% L: X) ?8 m; n應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

/ k+ [! _8 g2 {) c0 P- l0 |1 l4 e
$ ~! t7 E4 r: j/ ?& h6 r) ?5 J& L! a7 p7 e& \* k# k
mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣
' s+ x: d3 h. [4 s5 j8 \0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um4 t) p7 E( `; m$ J1 y9 L
感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um
" i' f/ e( b. ^3 x% n4 U  j5 F* f=============================================
. a- t! [$ X; o5 U2 o6 E" \) I. ?今天cic 有開放線上e-learning
* L1 \+ z) n7 `/ L趕快詢問您們lab的管理員
8 t  a: _- Y  A* H3 ^3 ]7 j/ b看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)
# r9 r: ~; p8 N& ]- Z! ?裡面有教laker、full custom design concept
+ @7 Y! A8 m& ?亦有hspice,都有一些不錯的技巧
3 f+ O# m; }4 j' @$ d+ x  N( d0 Z要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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