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1#
發表於 2008-7-15 17:34:45 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大好,图中有一个esd和普通管,本人觉得不解的是他们的漏为什么都画比较大。$ M2 H8 j2 I" M" Z- n, G8 B' F6 P& G' o
我记得这里好像有人问过,但我找不到了,然后想知道有什么理论根据吗?谢谢~谢谢~

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2#
發表於 2008-7-16 09:17:02 | 只看該作者
"本人觉得不解的是他们的漏为什么都画比较大。"1 K5 b% s( W7 ?$ U. E( i
什麼叫做 '漏' ???
3#
 樓主| 發表於 2008-7-16 12:22:25 | 只看該作者
drain mos晶体管的drain区~~~~~~~~~
4#
發表於 2008-7-16 16:56:49 | 只看該作者
esd rule 本來就會比較大呀~~! k" g- |/ D- q7 u) X  C' Q
至於原哩,實在是應該去找關於ESD的paper會比較快。
5#
 樓主| 發表於 2008-7-16 17:15:45 | 只看該作者
那那个普通的管子也要这样子画呢?
' v! n1 g* q9 ^8 v; |~~~~~~
6#
發表於 2008-7-17 12:03:43 | 只看該作者
通常普通的mos會照contact to poly的最小rule畫,像
. A1 i, v/ q' t' N% w5 N: @esd的mos通常比較大,甚至會在drain的區域做non-
' M1 H) V, w1 O* e+ osilicide(英文不一定正確),來增加電阻.
7#
發表於 2008-7-21 16:42:40 | 只看該作者
通常會使用 ESD rule 的 mos ,一般都是其中有一端直接連到 PAD ,為了保護 mos 能正常的工作,所以使用 ESD rule.
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