how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.


! P) J5 ]+ m0 ?/ D4 Vin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

thx

7 m, j  c' G6 [" e5 c4 Y[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
  E3 f9 F% \5 M4 }& h) _7 o
; Q- X5 f+ h, s& G1 C: U' P延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
( @  ^. u& Z6 C9 n6 \1 V1 O8 gWhat do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
5 Z1 X* u* b  u: P# |% YGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
& X( T5 A: e7 i# X3 R( bNor ...

5 a+ F& E* Z3 b% \+ E" S; Q5 O$ [0 u
5 J; O8 |: }& B5 r5 E( @7 v不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
; r. |$ Y! i1 g5 s2 Z4 K
( x7 U. ~" B1 x是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
4 ^( Q" s' ?& I. l7 h請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
5 Z% N+ o" j7 o' P那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

$ u+ j  L  j+ {2 B$ J8 h$ r
% p1 v0 q# K! Y4 X3 M% J是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
/ A5 I1 T! A6 y1 ~' K% APower 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
" z1 |' ?$ Z% i. Z  Z, @那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
$ k0 ^& d8 @2 ^0 j麻煩請解惑 ,謝謝

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
: m1 a0 o1 n6 {大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
, u" T5 }* m) v' o! |4 o" ODoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
5 @/ z, n" @0 b1 B% I" R$ P7 I& sWe normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

laurence

What do you want to know???
9 V( x$ @4 ?' ]  W# @  AGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
1 w  O9 N$ m. Y* _7 FGCNMOS not look like your picture circuit...
3 v1 Z* C) Z6 v/ l. RGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
: {: R: f2 Q9 q3 t+ x; _6 @: {
" G& G6 l. i  ?/ v6 dFor ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
3 V. F% D! F8 a+ j
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
$ N6 U& X" b6 H  A一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
4 z+ m, Q# K" T+ e# Y如果要用精準的話那建議採取poly電阻

' E6 l' V3 O$ A+ z以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
) L$ i) Q! A+ a# V# a0 s7 N以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

參考看看囉~~