求助关于GCPMOS管的版图

scy8080

如果GCNMOS管做电源的CLAMP电路，drain连接到电源上，source连接到地，很好理解，drain到POLY距离拉大，能减少电源电流对poly的冲击
而对于GCPMOS管做电源的CLAMP电路，drain(到POLY的距离更大的有源区）是否也应该连到电源哪？
" ~/ Y8 z/ j( Z, U谢谢

ritafung

你是否想用GCNMOS? 我們很少用PMOS 通電,因為它的BJT gain是很低
如果是用NMOS的話,drain 是連接到power, source 是連接到ground.

semico_ljj

GCPMOS比较费面积！画小了不起作用

scy8080

我现在用得这个工艺，foundry推荐用GCPMOS的，但是不知道版图上drain和source怎么处理？
: q% N' N( J2 i  y: b  ]
2 h1 r/ q' h4 x& {6 g[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-12-19 09:52 AM 編輯 ]

semico_ljj

就像GCNMOS一样处理吧！

scy8080

drain(到POLY的距离更大的有源区）是连到电源还是连接到地好？能否给个解释？谢谢

ritafung

drain是要連到正電源 (assume product 沒有負電壓), body / source 就連接到 VSS
! V/ d6 U4 m+ r! i1 I$ l0 C& {% @當正ESD pulse打到正電源,它會透過NMOS內的parasitic BJT把電流流到 grounded pin

scy8080

我想知道的是PMOS管的情况！！！
8 c" r5 t9 Z  _9 ?2 m( p& J8 t
( k  h& w- z9 x+ E2 o/ |: o对于反相器，通常情况，我们认为pMOS管连到电源的有源区为source,连接到输出的为漏；

GCNMOS的clamp电路，drain连接到正电源，body/source接到VSS,正ESD pulse打到电源，NMOS的寄生BJT导通使ESD电流到地 pin，
而对于GCPMOS管的clamp电路，应该如何考虑？

ritafung

我想是這樣子吧~
$ f+ j2 W. F6 G. |" fNWell Process + Psub, NWell 便要連接到正電源,PMOS drain連接地pin