how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
+ c3 o  N6 U6 q, e; \2 L* F
3 a" D. w; x  l2 E. ^
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

6 T2 T6 j+ a7 qthx

[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
8 |: x% W% f$ b. v3 ?. i  @如果要用精準的話那建議採取poly電阻
6 Z4 Q2 Z& e0 C2 e, T) ^
7 T9 c0 y2 Q" K3 h以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
7 t/ T4 N5 I9 h) [& v" N1 O; P( e
參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
  J3 F6 D! l% g5 r! A! ]" y2 LGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
- Q; d4 k* i$ @2 n3 }+ a5 ~GCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

$ [+ \8 U% s; @, h4 zFor ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

6 p+ h8 N2 ~: k7 b! s$ J) t: cBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
: H3 l3 u. t% k& K0 e. Y& @Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.
+ X4 l6 F7 ~/ a8 Q" C
  [5 ?5 E6 \0 ]- A是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
: k; V, q" B  S1 R2 d) d& j: q4 n" |請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.
/ u- D% I" D. v, C& `: r
6 C! G4 ^& W1 t( u( s, i+ h是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
% G( R: M3 y. Q( H那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
" R& M0 Y. A! k( M! V麻煩請解惑 ,謝謝

: B7 `4 r- c% X0 H! O( c) S是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
. _- p( x0 o( n0 aGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
. ^- ^* B6 G( |. y& ?% q- yGCNMOS not look like your picture circuit...
5 p  ?8 j! z/ v9 L1 ~: j; ~GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

. r" p& x. C( l4 c* W不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

. k$ e  Z5 F, L0 [延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！