不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

; L8 n9 N  G+ I  ?. w" ]想請問各位大大
2 @8 h) Z0 P: Z  h, ]% }* B
: G' D: q6 _" l& S- r我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)

還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。
" m, A( X  \; M* q  Q
小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近
; b$ f: F) G8 F
7 {- u5 V6 W& ]$ u' h8 N但是有約有50mV的偏移。


這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
! u& ?: \! h* J3 x想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
0 v7 W0 B; c2 l) L6 R( _: ]/ iVref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

3 Y- d9 W7 V; s
+ C! T/ l( _7 @! B1 c恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
2 p& e! {; M, S+ U' Q頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
你可以去google找curvature compensation bandgape
2 u) c4 t% O: O可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣