奇夢達推出擁有業界最高密度與效能的省電型FB-DIMM產品

chip123

奇夢達發佈2008會計年度第三季營收報告
/ l) _6 i. D3 M  ?* W3 b9 _! D' J
) C8 g: b- u/ v: r3 t0 D4 V' M, A營收數字及重點摘要
& V' J1 p" t! i- [9 t·        與前一季相比，營收淨額下滑至3.84億歐元；稅前息前淨損減少為3.86億歐元以及淨損減至4.01億歐元。
; H( Y0 a6 U) E! z·        現金部位是6.3億歐元； 淨負債部位是1百萬歐元
- f% A* }% Z& N) @: n! |7 g·        全球性成本減支計畫降低收支平衡點的成效顯著
6 z$ Q& }( ~5 J' \·        如期在2008年9月導入65奈米Buried Wordline 技術：採用新技術製造的1G DDR2已通過英特爾驗證
: U9 c- T& G" n. L2 d
(2008年7月25日，臺北訊)  – 全球記憶體領先供應商奇夢達公司(NYSE: QI) 今日發佈截至2008年6月30日的2008會計年度第三季的營運結果，本季的營收為3.84億歐元，比2008會計年度第二季的4.12億歐元減少7%，較去年同期的7.4億歐元則下滑48%。
4 Q3 _) a& Q# B6 F4 S7 I0 h$ B# Y
2008會計年度第三季稅前息前淨損為3.86億歐元，2008會計年度第二季稅前息前淨損為4.68億歐元，2007會計年度第三季稅前息前淨損則為 3.23億歐元。2008會計年度第三季淨損為4.01億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為1.17歐元，相較於2008會計年度第二季淨損為4.82億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為1.41歐元。奇夢達2007會計年度第三季淨損為2.18億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為0.64歐元。  
- z/ R" G2 ?' ^- E/ N# }1 c
( E( n# r! t: A) x9 z8 ^( }7 Z' o奇夢達2008會計年度前9個月的營收淨額為13.09億歐元，較去年同期少55%。相較於2007會計年度前9個月稅前息前淨利是1千2百萬歐元，2008會計年度前9個月的稅前息前淨損則為14.44億歐元。2008會計年度前9個月的淨損達14.81億歐元，每股淨損是4.33歐元，相較於2007會計年度的前9個月，淨利為1千6百萬歐元，每股淨利為0.05歐元。
% l. t( M& V3 E& W7 B
- ]/ I1 @0 `0 v1 e8 \7 x9 i奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「我們在第三季已減少虧損，在增進生產力和降低成本方面也有了顯著的進展，並預計這二項計畫在未來幾季會帶來明顯的影響。在第三季時，我們全面淘汰生產力較差的代工產能，同時我們也已在第三季末，將90%的產能轉換至80奈米和75奈米；我們尤其加速推進至75奈米製程。我們首次以65奈米buried wordline技術製造的1G DDR2將會如期在2008年9月推出；這顆晶片已通過英特爾的驗證。我們希望能如先前預期地在9月底前完成我們的人力資源精簡和成本降低計畫，相信這樣一來，我們將可以每季4千5百萬歐元的金額逐步降低我們的收支平衡點。在這些進展之後，我們已經作好了為未來幾季獲利復甦的準備。」

chip123

(2008年8月26日，臺北訊) —全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)與專精高速記憶體架構的全球技術授權領導廠商Rambus Inc. (NASDAQ:RMBS)，今日宣布奇夢達已開始為PLAYSTATION®3(PS3™)電腦娛樂系統量產出貨XDR DRAM。

奇夢達的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已於2008年1月開始出貨。XDR記憶體解決方案拓展了奇夢達的利基型記憶體產品佈局，能滿足全球快速成長的電腦和消費電子產品市場對高效能及高頻寬的應用需求。
' a; q: f8 s$ j, y
奇夢達利基記憶體事業部副總裁Robert Feurle表示：「能為PS3量產 XDR產品讓我們感到非常光榮。這個新的里程碑，反映了我們多元化的產品策略，並彰顯我們在利基型記憶體市場的領導地位，我們已準備好爲客戶提供支援各種應用的XDR DRAM。」。

3 N2 g0 b, X1 M, O+ S) F$ oXDR記憶體架構能支援高容量且具成本競爭力的應用。奇夢達的XDR DRAM 是一個傳輸速率為3.2Gbps，峰值記憶體帶寬6.4GB/ S和單一 2位元寬的裝置。隨著產品藍圖發展至傳輸速率6.4Gbps以及每裝置頻寬達12.8GB/s，XDR DRAM比現今的標準型記憶體具備更強大的效能。使用XDR DRAM，設計人員可以用最少的元件達到前所未有的效能。
( |9 }5 Q& ]* @0 N& X
9 Z! G8 @* G9 R  RRambus全球業務、授權暨行銷資深副總裁Sharon Holt說：「奇夢達的領導地位及全心投入，幫助我們在消費電子及電腦運算應用市場，擴大了先進的XDR記憶體解決方案之供應，我們期待未來能繼續和奇夢達合作，共同開發具突破性效能的高容量應用XDR記憶體解決方案。」
# t+ y% z6 A& O, W4 r4 m/ q
. H- _1 B  l+ t0 M, S1 _% l; a2 g曾獲獎的XDR記憶體擁有晶片設計到系統整合的全面工程支援服務，使其能直接架構在Rambus諸多專利創新技術上，包括低電壓、低功耗Differential Rambus Signaling Level(DRSL)、每個時脈周期可傳輸8位元資料的Octal Data Rate(ODR)技術、能與時脈作精準之數據校正的FlexPhase™電路技術、以及能加強信號完整性和延展性的動態點對點技術(DPP)。

jiming

最新技術的發表加速產業轉換至DDR3記憶體
% `# I# M" y* P' Z' a1 F- Y% L
% T2 B6 p: L" t6 b, n1 [8 }! i, y2 B$ Q(2008年9月25日，臺北訊) —全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣布其1GB及2GB的DDR3無緩衝雙通道記憶體模組(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules - UDIMMs)，通過即將推出的英特爾® Core ì7處理器和英特爾® X58 Express晶片組的驗證，使奇夢達的記憶體產品能在新一代高階桌上型電腦平台發揮其卓越的散熱效率和性能。
) z* A( h- m4 U' v+ B
DDR3 1067 non-ECC UDIMMs已通過英特爾新平台Core ì7(預計將於今年年底發表) 的驗證，此驗證強化了奇夢達在產業轉換至DDR3的領先地位。DDR3 1067 non-ECC UDIMMs具備了比DDR2記憶體快達兩倍的數據傳輸速率，同時也改善了電源效率達30%。奇夢達DDR3元件是於一年多前發表，其模組也已通過多個英特爾平台的驗證。

英特爾Core ì7微架構配有每通道支援三個記憶體的綜合控制器，可充分發揮DDR3記憶體減少延遲的特性，同時展現出優異的記憶體頻寬。DDR3也是第一個可於1.5V的電壓下運作的記憶體設計，能完美搭載於低功耗的英特爾處理器及晶片組架構。

" O% L8 z* H( d! }3 ?9 i  {奇夢達運算部門副總經理Michael Buckermann表示：「我們與英特爾密切合作，以確保DDR3模組可應用於所有支援Core™架構系統的平台，我們很榮幸能為業界提供自800到1866最多速度等級之DDR3 DIMMs解決方案。 」
( \9 s1 h: j: q; p: W5 m
英特爾平台記憶體運轉部門總監Paul Fahey表示：「無論是在Core微架構平台的活化上，或是記憶體功耗與效能的評估計畫上，奇夢達都是我們非常重要的合作夥伴；長期以來，奇夢達都能切合Intel平台之功耗和散熱效能需求，今年我們也選擇了奇夢達的DIMMs，給幾個通路夥伴及平台產品發表會的媒體做為評測標的。」

jiming

(2008年11月5日，臺北訊) —全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣布開始量產使用 Buried Wordline技術的DRAM晶片。以65奈米Buried Wordline技術製造生產的1Gbit DDR2，已於十月份首次銷售，銷售額合併於奇夢達十月份的營收。此外，奇夢達完成了新一代46奈米Buried Wordline技術，並以此技術為基礎，製造出全球最小的2G DDR3晶片。奇夢達創新的Buried Wordline DRAM技術具備高效能、低功耗和小尺寸晶片的特點，進一步強化了奇夢達在基礎設施及繪圖應用的DRAM 產品線。

奇夢達總裁暨執行長羅建華表示：「65奈米Buried Wordline技術的量產，是我們新技術藍圖上一個重大的里程碑。在我們德勒斯登領先的實驗室中，我們已將65奈米Buried Wordline技術製作的初製晶圓(wafer starts)增加至每個月數百片，並計畫在接下來幾個月內，將剩餘產能都轉換至65奈米Buried Wordline技術。 65奈米製程的產能很高，我們也從已收到樣品的客戶獲得相當正面的意見回饋，尤其是對於Buried wordline技術的低功耗特色。此外，我們已提前完成下一代46 奈米Buried Wordline技術的產出，並且會依照計畫於2009年年中量產。46奈米Buried Wordline技術比65 奈米技術多兩倍以上的位元數，導入46奈米Buried Wordline技術將幫助我們更進一步取得製造技術領先的目標。」

& N  P, a7 V: J7 w1 _, q奇夢達已於2008年2月提出了新的技術藍圖和第一個以創新的Buried Wordline技術結構生產的功能樣品。Buried Wordline技術結合了奇夢達溝槽技術的省電優點以及廣泛應用於DRAM產業的標準堆疊電容器技術。奇夢達的Buried Wordline技術概念是以其製造矽晶圓的蝕刻和充填結構經驗，進而發展出達成完全垂直單元(vertical cells) 的DRAM cell技術領域突破。
6 ^* k- d' U* h
此外，Buried Wordline技術將cell尺寸減少至4F²。第一代65奈米Buried Wordline技術已經降低cell尺寸至6F²，而目前奇夢達量產的75奈米技術則為8F²。65奈米技術結合了較小的尺寸，使每晶圓的位元數比75奈米溝槽式技術增加了40%以上。而結合了6 F² cell尺寸的46奈米技術，使每晶圓位元數比65奈米技術多了兩倍以上，也較75奈米節點改進了200%。  

$ _4 v; R( r* Y8 P' F0 a* Z1 B部分的Buried Wordline技術發展是由歐洲共同體下EFRE的技術發展基金和德國薩克森州的資金補助。

chip123

(2009年2月4日，臺北訊) — 全球記憶體領導供應商奇夢達公司 (OTC: QMNDQ.PK) 在發展 Buried Wordline 科技上持續創新。繼德勒斯登廠量產第一代的65奈米晶片後，研發人員已根據最新的46奈米技術，創造出第一個可運作的DDR3記憶體模組。   
% m) [- {$ O  B* A
與目前主流的75奈米技術相較，新的46奈米可在單一晶圓切割出高出三倍的晶片，因此它可預期增加二倍的生產產能，此外，初步的研發結果顯示，它將會大幅減少75%的耗電量。奇夢達財務長暨營運長Thomas Seifert表示：「我們很有信心這項創新研發對我們邁向有利的未來又更近一步了，這項以新的46奈米模組技術的測試結果，和目前客戶的意見回饋都讓我們感到相當振奮。」
8 ]# D# U& ]" W7 m+ u4 x
# q1 S# `1 }+ b0 @: \8 \業界專家相信新一代的晶片代表奇夢達很明確的競爭優勢，全球市場領導者英特爾公司最近也肯定了奇夢達在DDR3技術上的領先地位。
% W. R2 y4 v0 G0 W* t
7 D8 p# d- d$ n4 h- j: P專注於Buried Wordline技術發展是奇夢達全球重整和降低成本計畫的主要部份。在此同時，為了讓營運更加平穩，將以主要的核心生產活動為主，虧損的產品和合約將會被中止，位在美國維吉尼亞州Richmond的12吋晶圓廠將決定關閉，約有1,500名員工受到影響。由於在目前經濟大環境不景氣的情況下，無法提供資金進行Buried Wordline的製程轉換，在未來更多客戶將由德勒斯登廠供給晶片，奇夢達的其它工廠將持續運作。
- t8 ]7 y8 Z' q$ s
* v! \# C- V, d奇夢達財務長暨營運長，也是奇夢達董事會成員之一Thomas Seifert表示：「為了使產能更加有效率，並徹底定位奇夢達朝向下一代創新記憶體Buried Wordline技術邁進，這個決定對我們是很重要的一步。」此外，打造公司的主要研發和產能的存續力，則是找到新投資者的首要步驟。

" C1 A) r8 b# X" {( R! }5 N目前奇夢達還未對於公司未來架構做出決定，包括能繼續進行業務的部門是否能由奇夢達所有、或納入新的投資者的新公司之下。若是後者，或無法覓得投資者金援奇夢達的業務存續，奇夢達公司將可能被清算。