二极管与MOS管做ESD保护的区别

andyjackcao

在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
! Y, k* [9 ?8 v! E) A* S我考虑到的有：
3 ^6 p% C) K0 O+ m) ?; ^: j1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
7 R6 l" p) j& Y& b; r& I6 O9 u2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
5 i# i% }3 P7 r: l2 D2 [3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
: G( N, q  E( Y" Q& C所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
结论对不？
多谢

andyjackcao

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下

andyjackcao

还请大大帮忙解决下这个问题：）

andyjackcao

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

andyjackcao

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
& }9 x& h/ a  n5 p0 @; p' L# r2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

franklu1227

怎么只剩楼主一个人自言自语了？

andyjackcao

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
2 f, i" n7 m/ |% b" B如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。

szona44250

感謝大大的分享，受益無窮
# s$ E' {- q# T
謝謝