Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
1 o" c: ]3 L9 `' c  n; I/ N: lA gain of 1000 is expected.
& {  `* t8 p2 `' h=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
" {, t+ f8 U" U4 Y7 _; }; ySlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1

+ |; C4 E1 A( a/ L& S+ n補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
  S) S( d  a. e, m- g
# L( L6 r) M" Q' M4 w/ P( t; n; d# q補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大
4 X1 p9 u/ g/ x# V/ |3 ~' A

賴永諭

slide 0731
6 H9 i  o- H8 d( \* }1 l需要4各bias 點~
/ s9 m" @/ j; r" M& s6 E
3 Z# U7 D& W3 W7 b) Q) |side 0732
只需要3各bias 點~
+ r' D2 L! Z" g4 N8 G/ WM2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
0 x0 p" I9 M& J$ Q: kIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
# M4 |, J! y0 x0 tdepending on the phase margin required.
1 J/ B$ I3 T5 x$ ^1 y* n8 k. j=> 更正
6 x$ y: D: s! B4 Y) j5 `It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

7 H; T+ R  ]! }) M$ {上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
1 h5 l  a, h: m

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
8 M/ x; r5 H5 j" A: JCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
% k9 P) H- Z8 C) e所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
6 o+ E( ~$ H0 `/ l! |Ref: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
Noise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
: i9 b& j% p4 _- [" @1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
" b  F5 t5 S+ p9 L2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
2 w  O# R3 q: L3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
! x3 \; H9 s+ z- |2 s分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
( D9 Y8 u6 a! \+ L2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
0 v" ^  Q# K7 R, P& q3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
9 \9 s- Z& F* J0 M1 N用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
) E1 u! b4 f: `1 |" E; q8 M  j

賴永諭

slide 2222
8 Q9 \+ Y! v0 L/ Z5 aVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
( g- m& r$ h& P5 V( ?& l' D

賴永諭

slide 2222
& {8 q! ]  Z3 t% Y  B' BVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
3 T2 n7 ?2 g6 N0 e% u用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
/ W7 V6 l3 \' _! s$ s4 Q2 n' y

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
* I% S' r1 k) Q8 W# o
: q0 G4 v  Z! {& O) h=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
+ X* G% B) I' ~* m/ A用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
3 I: n+ e7 x9 R/ {- j4 J所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
( P, q7 ?" G+ j: {) j" g8 E8 f

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
# Y  }5 \1 _- p
gmmax 應該是C1WC1/2C3

=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
: _6 f9 e( _0 S) v4 q& y5 A% H* Xslide 2222
; e' h" M3 Y) v; U* C( _Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS
  A/ L1 T! c( v5 w" h8 F: c! v( _" p& e

" y6 ?; R; Q- l$ p9 ?; Y% z

賴永諭

RIP
& X# ~6 ]5 ~7 f2 k" p" N6 l
7 \6 ]4 g2 s6 |! NIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

* a4 L" A) l; i/ E3 ]https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
3 R2 U1 P4 N& u9 K' d! {7 kslide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis
% e# O: N5 w' Q9 G7 K! ?
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing