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美光推出第三代低延遲記憶體 RLDRAM
美光與領先晶片組和客製 ASIC 設計公司合作開發高頻寬、低延遲網路解決方案) l- n4 z2 q: p, R# U
1 r; b: H I! Z5 |& [) c$ u5 S q(台北訊,2010年7月14日) 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延遲DRAM (RLDRAM○R 3記憶體),一種高頻寬記憶體技術,能更有效的傳輸網路資訊。影像內容、行動應用和雲端計算的蓬勃發展,產生了對更高效網路基礎設施的需求,以能線上傳輸大量資料。與前幾代產品相比,美光新的RLDRAM 3記憶體進一步提高了儲存容量和速度,同時將延遲減至最低,降低了功耗,在網路應用中效能更好。
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: h: j, N$ V3 h, [- v. e; G* U美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示,隨著網路內容消費的不斷增長,人們日益需要有一種能支援網路流量增長的技術,美光的RLDRAM 3記憶體滿足了這種需求。
( p- K1 u. F/ z% O' _+ Y對於現有的RLDRAM 2,美光將繼續提供最高水準的技術支援,並計畫長期生產該產品。此外,美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm製程,提高系統效能,降低功耗。4 u$ v; `! G: Q Z. x
& {' ^' D- v+ E: x# w; sRLDRAM 3記憶體產品特點
+ q- G4 s* ^9 d! x美光新的RLDRAM 3記憶體的主要特點及優點包含:- c7 f( M! | T; O7 d; ]7 m# s
低延遲:tRC不足10奈秒,隨機存取延時為業界最低* a: v8 \/ I" `- g3 ^
高容量:576Mb-1Gb,靈活性高,可用於多種設計
, ?, j: B! m% B3 |5 O 高速率:達2133Mb/s,資料存取速度更快- u1 {' ?' u( D9 u8 K
高能效:1.2V IO和1.35V內核電壓,更省電 |
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