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本帖最後由 lchuang 於 2011-8-3 03:52 PM 編輯 # x4 R# \) Q" F$ w: q/ V0 U
' n! N3 }; N. L) m3 Y: k先來討論一下所謂的Vds(sat)：
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你試著模擬一個固電電流源，如一顆PMOS~~~~S接VDD，並且G跟D互接然後掛一個電流源(ex,20uA). M& y9 T( A7 O! d! r* W
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W/L可以先固定一個值(ex,5u/1u)，然後觀察這一顆PMOS的vds(sat)~~~~接著把電流源加大至40uA) k8 U- Q* z: @" ?' Q* j
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然後你就可以看出Vds(sat)會明顯得拉高.......1 J; f2 u4 U3 j8 r9 b8 X
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至於所謂的vds(sat)其實在我來說，它是一個滿足MOS進入飽和區的條件式而已........3 }) L9 A4 g& x4 ^
0 I! ]4 Z# m/ _* [7 ?1 k, @ e) ^$ G7 g而所謂的條件式就是Vds > Vds(sat)，一般在我的設計會讓Vds大於Vds(sat) 0.15V左右~~~
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9 y5 Y1 A+ V1 V( |那麼Vds想當然爾是越大似乎越好........其實Vds越大或許比較好滿足MOS進入飽和區來操作......
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, V3 a0 R" o2 o* A- T" V問題是它相對壓縮了電壓的輸出操作區間~~~~~所以囉.......
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一般設計電路，以一顆OP來說......要看DC操作點看的不是OP本身的MOS偏壓，
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而是給OP做mirror電流的"偏壓電路"本身，它才是決定這一顆MOS是否符合所設計的輸出電壓準位~~~~1 X6 x2 h% `- h0 g# L- ]
0 s6 ]7 J& G5 o, A+ o. w7 j以上是Vds(sat)跟一些電路的少許觀念...........
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: ]9 K* {1 e- |0 ^3 k) t+ G================討論M5 start-up 分隔線=======================2 `; K! W$ X3 j b9 Y
D( i5 y( z9 {一般你要模擬所謂的start-up MOS，以你上面電路為例，當你不加入M5這一顆MOS的話......$ N) Z# I) u9 l$ A9 H, ~
% u8 y# T/ T" [2 J$ r& O, r你可以在spice檔內下一個初始值的指令，
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: T1 P- o; C7 i+ s, J我們先假設M3的G、D與M2的D接點為"QQ"，M1的G、D跟M2的G接點為"AA") V2 o" _# R: S5 l' ` C! c
l$ p @/ S! M) r, C然後在spice檔內下".ic v(QQ)=VDD v(AA)=VSS"~~~~~~
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你就會發現你的偏壓電路的MOS都在cut off階段~~~
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接著你可以加入M5後再來模擬，你就會發現它會慢慢把"QQ"這一點電壓往下拉到一個正常工作點.....
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4 U/ ~6 }" P2 b {8 F這個模擬其實是一個real case會發生的狀況，因為在IC內部一般不給電情況下......
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4 {- [9 ]/ V0 j+ ~/ i1 x, B3 `2 x" z# U每一個節點都是"unkown"的，那就會有電流起不來的狀況......這一點你可以好好去想一下~~~~; X6 M) `* b r1 A6 r, h
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你的M5的接法似乎會影響到M3的Iout電流.................似乎這種start-up只是很單純的一個
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"weak pull low"的方式..........但是在實際電路上並不是一個很好的start-up方式.......
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, _8 q2 _, E$ k2 ]7 L: g而這個應該就是你所謂的電流不一致的原因，你可以在list檔裡找到M5與M2的電流~~~~
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然後在4V偏壓點..........觀察一下每一顆MOS的工作區域~~~~~, s" x. d9 _: z6 ]- |; A3 o# K
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PS：所謂的weak定義...........以start-up來說....我把它認為是一顆W<<L的MOS.......
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(ex,W/L=>0.5u/10u.....這樣的比例) |
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狗仔卡
發表於 2011-7-12 18:02:20
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