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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:" N7 \5 k/ Z+ _6 G2 M
•汽車點火器用IGBT單管
5 }7 k) E$ A7 X+ ~) K, \6 ?: g6 C針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
v# Y6 o# B" S8 P3 B# c. H( k8 J•新能源汽車用IGBT晶片及模組( |! K0 L3 F2 L1 ?( v% T4 f z) q' @* c2 l
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
& y6 R, R1 L0 _) g! |- {% [二、技術指標" F) Y" O) r( |
•汽車點火器用IGBT晶片及單管
7 q. j8 J( a. R2 K5 J" q主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
, W0 O, Q3 K2 P% b集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
! O8 n0 x2 ^7 j9 |, M/ O集電極直流電流 IC 10-40A
' g' l, ]! l9 ~+ Z3 z集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
$ |1 W! L+ ^' g, m+ V•新能源汽車用IGBT晶片及模組
! L. M4 q# s! z5 S- O7 c主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值 K- c2 Y- x1 [; ?+ A* W
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
9 ^& O2 b, S7 i9 N集電極直流電流 IC 100A 800A
. @- G. Q9 i8 l2 s& ~; M- u集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
$ D L) z$ B- o( k5 i三、經濟指標
) K! k" J/ z& y8 y•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。5 l. H7 M) B7 B0 s- b
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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