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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:5 R6 V" h# T$ c; n# \% t
•汽車點火器用IGBT單管% P/ L$ Z, z t9 f+ C2 F
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
: s4 f: T: x2 X* h. G r) ~•新能源汽車用IGBT晶片及模組" ~/ a% k1 M4 D. s
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。( V; r. A' ]: j5 Q) k
二、技術指標
& M2 J( e) S6 Y) ~$ T" G•汽車點火器用IGBT晶片及單管
/ k/ {1 w" |, L8 x- |3 l主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值: t U% k) O; b. U0 [9 T( w2 p: }$ @
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V3 `0 |+ Y0 |+ U( l% }* Y; C
集電極直流電流 IC 10-40A
% b1 Y7 ?( O# K: b1 \8 F集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V" F7 Z |5 g* n5 |( O2 T. ^8 Q
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
& r9 l6 w$ w( g& }9 a主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值+ W2 ?1 k s) v2 }+ q, \( M
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
3 C q- I) Q8 p6 ~5 k2 e集電極直流電流 IC 100A 800A. F( M# w a7 I2 Y, e
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
; O/ c' a* h* D) w. ^8 p' S三、經濟指標' @; O+ C) D b
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
, i! c2 r d$ U8 i) n& V•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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. I4 f+ r9 i" g- ]& l, T+ w" O2 u0 I4 B+ I# ~
; W# t3 Z( i. B, v: ^6 W8 ~合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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