ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
: g1 F& P* {2 K- P2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
8 p0 r' o: F$ k7 @( ]) V5 q2 L0 c电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
( b/ J+ ~7 p$ R  H& o2 p4 G1. 請問製程為何?
+ j( O  P, W) }2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
  m. }. \( [& i+ }5 Q, k* l/ C2 d要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
; K6 k# E" D) y1 @7 s  W; J( @2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

( }2 H# H: s/ i. P; F
1), 請問製程為何?
% r4 S+ d0 t' p$ Z0 }5 G6 @) \0 r tsmc 0.18um

7 Z6 P+ c2 F" ~; y5 {2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
0 W, m" m/ G. W# ?3 ^; S
1 _% A2 ?8 J7 r1 u/ ]+ e( I, {& h0 D3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
9 g* u0 A2 d7 c/ U8 u" l均勻是指什麼
8 j# [7 F4 m! [% R' r4 W方便貼圖上來嗎