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提供一個之前用的方法, : z# @' {2 j" N' G+ Y0 W
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)1 q5 g" [+ X1 h' r( a5 n6 H9 m
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,, X; _- n$ V! k7 y, a3 v% a
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値2 I- H5 U" H4 ~ g' K( A
E G+ m2 u5 F, I由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
$ F" |$ L# W6 h. k; h1 h4 I在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]8 P" ?8 G2 }( e: A
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
s" T; U, r" r. k. o8 u4 I故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
# P# l" \% R: _6 N1 P E/ X4 R; N$ `3 |" g. q( m: @% w# P
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
& l3 d4 W+ U# O0 W4 UKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]% Y8 r6 D6 W9 g
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
8 P2 a/ s! R/ D0 t& L4 y- J" \' `$ ?9 M4 n
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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