Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
- h, ~3 k  V) ?4 s& ?5 C" oA gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
/ V; G; R/ d. g; ISlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1

8 Y# ?' t4 g: F3 O補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
$ |( d  O+ {% R5 K, y2 W
! R* T. b( E. ~( N  h3 N補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
# s: f5 h( E$ H( W9 _; LSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
7 Z& P; \8 x9 n" U( a! KInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大
1 i2 @. }- c/ G; W) {

賴永諭

slide 0731
6 h- s$ Q8 o8 y需要4各bias 點~
6 e" f& s4 U" s  i
9 j+ n+ t2 l% L; O$ j9 tside 0732
+ I& @) j& |, S- ?( ]只需要3各bias 點~
  H7 U' r& {0 l+ |# bM2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
& V2 U; B- l4 z6 L5 X; c+ {It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
7 M5 s3 X) j1 D5 A" Z6 P7 }depending on the phase margin required.
9 N! \# J" Y& w" o8 \=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

: N/ e2 s3 W3 r! K  c, E上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
+ H  Z) {( h( a% W" i8 nRef: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
Noise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
. i* g" w  Z; {6 y8 o1 k謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
. v9 Y+ m; f8 C; B; s/ U分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
% h- s, h7 }7 [) n) B1 ~9 a# n9 n7 b2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
$ g. I+ p+ r3 e6 M$ G3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
0 m4 X' s& P% X9 r分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
5 q8 a6 Y: a3 y9 r4 U2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
7 B. Y6 Q) d. X4 u) T/ v8 b) Q( t用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
; n; Z5 f6 ]8 M所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 h9 Y1 N$ o; \9 y/ c

賴永諭

slide 2222
- R2 [# c! F8 }+ y+ |( O! bVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
6 h, L0 S* m: i: W8 {& f
: F8 Y: F5 v' b/ l4 F  J7 p=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
) O: h  ]! `) ^( K& d, I用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
: m" _: q8 k3 v9 H4 GVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

9 d/ M0 c& t/ u/ v+ A1 A% u=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
. f6 z2 T5 c8 X8 R$ X* @用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
/ R- }  s3 E8 M

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
0 Q1 b- h# {- I  t3 s% ]5 A8 u
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
) h/ ^5 j2 e. ]

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
( Q  k, q( g5 U
gmmax 應該是C1WC1/2C3
* L$ O$ ~. w0 t4 ?
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
. N; `) l7 k$ X' Pslide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS
  b) x7 p* T! D7 p0 F# f

' \0 d% }7 W  G- M

賴永諭

RIP

In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
' q/ u; E" \- j* l! M
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