|
提供一個之前用的方法,
7 K, c. s1 ]; l4 R由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)8 n' z0 P U$ o1 L0 m4 x
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,9 @7 P9 {4 ?# ]' a0 a5 y9 @
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値$ D$ K+ q( N7 S( c# E9 y
+ J& X! R* U4 {6 N* t- W+ u; S! E
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)# x. i, G9 ~! I1 B: }* E8 o1 B3 M
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]$ u% N, g' w! v
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)( X: ~4 m6 r Z. d- M9 X9 D
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)- ]4 Y) ?( j2 k9 d7 F
" _6 G* K5 T" g8 M8 w3 T將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值0 H& }, v" |7 ^, }3 m
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
1 O( |: b" p( ~) @8 E' p* [8 O = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
* }- W( h2 N+ p) q
) c J% m! s; X1 m7 s# s1 @之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
評分
-
查看全部評分
|