Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
樓主: 賴永諭
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Sansen讀書會...

  [複製鏈接]
41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154& }; l- O0 h) m+ q9 w+ H5 i3 P% x8 a
A gain of 1000 is expected.
2 `) @. D7 h1 S8 [* D=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
# q& W. ^: x2 A, DSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1% {7 ^  `- O9 v, p
6 x* v0 H: E, o( h7 q
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):0 ~( V5 m$ R1 W) S6 }1 \' Y  W! U' p
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1/ Z2 {% ]* X: b) F% J
$ c( V" \! c+ v! r# A
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
" Y1 B+ K" f& M- u; bSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:* x5 d. m5 z$ c0 ^6 a; }
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小  i; X# L, @9 J1 e2 U/ j5 ?4 h' G$ [9 H
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大3 ]) c2 B2 K, F
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
2 W5 k# k% V- [& K/ g, kOutput series: Current sampling輸出電阻變大' B; l1 e; l# m5 H- p
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731, K$ E& Y5 F  ~% y+ E% v9 p
需要4各bias 點~. {& j, W5 }4 y3 ~" s- ]
, r, W" q. [% f
side 0732
: _" W( U8 c1 p4 B- A  ?, R( E, W8 z只需要3各bias 點~
( Y% s/ ]9 H4 E6 K5 BM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097( S1 K# \; }5 P
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
3 y( `0 v. S( q/ ~, ^  w. A% `depending on the phase margin required.% v, ], N$ V" h8 P  R/ }% ?/ x' W2 u
=> 更正% L$ Q, p0 i0 J9 \1 Z' X, z$ g+ l
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
0 _) C- J0 \' ~; o5 e/ l6 ~1 G  Odepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
5 L1 L) f6 L) L. g1 y/ q9 M) s6 I3 f1 _回復 32# tuza2000

, b; h# ~& @) p0 y1 n, r上面說明有誤~9 F) R$ {; q  {+ B3 l1 Q% ^
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
: b3 E' K  ]6 k. G1 A
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)- n# s& g8 F$ z
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻* `) o5 u" ^: G1 S9 `
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3). S' |' _! F: T
Ref: silde2219
4 F& Y7 I6 \1 E  cStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
* E. S  w. _* \  e9 Z- r: q. hNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
% L# @2 f! j7 K! r) x3 z. xNoise of a current mirror with series R:
( e( J- U0 p+ e# F  @前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!, r4 J( b* i& ?) B; P) W
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
' h9 O! E# S6 k謝謝~~幫忙回附一下
- F( |9 x4 B$ Q1 ]
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513% m0 {; }: t3 Q" b. L
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
. {$ i9 ?* c5 f# ?% [) Y( s1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。8 I( M0 @  [0 M* U: A
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
5 `  K) A% B% M$ k  F1 d3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
6 X6 ]  B, s- F' k- \& }9 [分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
& D" f& f: y+ N* g1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
+ k) N+ \7 ?; k2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
0 k. M8 g2 l2 w2 p9 h. `6 ~3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
0 A  f8 S: C' A. }Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 L' a/ `3 R) H: o( v* r4 A- C% V8 F3 o/ l- O
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C25 s5 `  a8 j: E5 y$ Z( Y, w
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
$ k* S; A7 h3 T# a( X1 Z+ n5 I( x所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)4 _8 w2 K/ `% V0 e
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222. }; K! R1 D* i+ i" E) d4 R. m7 S
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
/ w6 ]6 ^' ]1 g* e9 U8 R% e4 Q- J* @' B6 j( G  P: W
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
+ w1 P3 N8 }2 a' [用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻9 j, ^9 b9 d+ E  C; B7 m6 p
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
) {0 S4 S$ x2 l5 s) W) Y
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 22223 x* U# ?8 X" n! a$ Y# z5 a
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 |% _6 B7 ~5 g9 k$ k4 S: d% a- u% Z
% G* Q3 E% S1 K=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
7 E; b  Q6 B7 A0 o用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻& T. ?3 J5 f( H( ~, v$ y
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
7 T2 H* n4 I' d5 Z/ _
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222. X# [7 B& c4 _" [
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)( h- [* \9 h+ u5 U4 T/ Q  c

+ S/ ~$ J4 G' w5 i* u9 T" ^=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
6 I& i- i8 l: M5 @9 y8 Z" T/ g用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻' p- ~* p& i3 m% X- i0 T, G( W! b
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)8 ^! k3 _4 p+ i: u9 K9 m7 y
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA2 f( z0 I  s* Z: H; M& E
6 h, u6 O* z$ S# ]0 _
gmmax 應該是C1WC1/2C31 @  W9 R9 A: N1 O$ ?4 Z/ C8 s" `

/ j# m3 h4 {2 Z- X! h. Z9 E! H/ j( J=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM% y; ?6 _$ K' d1 N" i
slide 2222! k5 s5 `  f/ k; e* G% t
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  t6 C' p8 Q; s$ e* S* x
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
9 \# p2 G8 `8 p" ~3 V1 b% j) vand 4WsCL^2/QCS! ]- N. w: v& f) b& t' o

% A! E, K' Y. Q
3 y- K; l: {6 x* E! P6 G
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP : S2 I8 X4 I$ I

3 i' b1 j) x4 z9 I+ N- U4 ^In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)2 q7 k( C: r" ]& S# r

  f/ {" `! J7 Z$ rhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators
2 B* O+ x( n! Z& `  ^* C; Yslide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis$ |) F9 o% t, \8 Q. b4 S) A- @
$ v. Q: _; l1 X! V% C
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing/ Q  p: U% |2 O* I" s* F" e5 o
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-16 02:39 PM , Processed in 0.130017 second(s), 15 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表