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關於1011GN-700ELM RF電晶體5 N. _, t- z; \1 l' @+ f! O$ H% k
* _" @5 f# s" M1 B8 r' R$ S' N1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 洩極效率,以降低整體洩極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括:
- S# o& M3 i! j( U z/ d
+ U& O; H+ B4 h- D: |# t% _• 短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD
. M, `9 T9 w) K7 N• 出色的輸出功率: 700W, L, Y) b: t% B/ v6 [
• 高功率增益: >21 dB最小值
) A0 Z+ y& E% L- L0 Y) e• 經控制的動態範圍: 增量1.0dB,總計15 dB, ^6 Q/ k8 @ \
• 洩極偏壓 - Vdd: +65V5 s6 A; {- M3 k- g* d
. @ J, A2 y7 Q3 r! d+ P使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括:1 A6 v/ F F/ Y3 O2 b, ?' a
2 `: b+ |& L! v$ M, @1 q% g8 `
• 採用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件
3 q* a p9 ^5 f! b+ d% a8 q' M' b! O• 較高峰值功率和功率增益,用於減少系統功率級和最終功率級合成
$ u6 g! m; L$ S8 E" A• 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率,四路結合提供4 kW整體系統功率+ g$ j# U8 ^: t0 r' H' ~5 v. @0 s6 T* T. a
• 65V高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求
4 a* w0 c9 Q% _, N: _. O! p# D• 極高穩健性,提高系統良率9 d W+ t& O1 x; t" W
• 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%* e; d% j1 z7 v4 \/ }
' h, q! J. o- V! T封裝和供貨
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1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期,但鑒於產品成本的緣故,不會提供免費的樣品。 |
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