百萬元重金懸賞技術開發難題：「鈦鎳銀多層金屬電極研發」...

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這種人機對話平臺銜接了觸控技術、視頻技術、遠端資料傳輸與交換、遠端控制、集成銀聯付款系統和交易指令對接、資料庫後臺管理平臺、遠端監控、票據列印、系統故障及各類緊急情況自動報警等技術集控平臺。
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本公司創建於2003年，主要從事生物、體視、金相等各種顯微鏡及其他精密光學儀器的研發製造和銷售，年產品產量數萬台（套）。公司擁有自己的品牌並擁有自主智慧財產權，目前主要銷往歐洲、北美、南美、中東及東南亞、日本、韓國等幾十個國家和地區。

. g& n5 c. I+ z2 C3 D. Q技術需求（難題）主要內容：在數位顯微鏡領域第三代模組研究成果的基礎上，開發紅外線和透視功能相結合的技術攻關。


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我司研發的大電流恒流電源作為低壓電器及其成套設備的溫升測試電源，其中大電流輸出採用多磁路變壓器控制輸出，為進一步提高恒流電源穩定性和使用效率，需改進多磁路變壓器設計，多磁路變壓器結構原因使磁路長度增長很大，造成漏磁很大，不但變壓器的輸出效率低，而且造成局部溫升過高。同時二次側採用多條母排疊繞直接引出，造成內側母排溫度過較高，外側母排溫度過低。希望解決二次側母排溫度過高問題，同時進一步提高變壓器效率。

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75A快速軟恢復二極體晶片生產技術。包括產品結構設計技術、生產工藝及少子壽命控制技術，負責技術人員及生產人員的培訓。
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2 M5 l+ ~/ n# c! _技術指標：額定電流：70A；最大反向峰值電壓：大於600V，通態峰值電壓：小於3V（IFM=60A）；反向恢復時間：小於600ns；軟度因數：接近同類產品國際先進水準。
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主要技術指標是：測量範圍大於100µm、解析度優於0.3nm。從該納米測量系統的技術可實現性分析，主要技術指標是：測量範圍大於50mm、解析度優於0.01nm
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75A快速軟恢復二極體晶片生產技術。包括產品結構設計技術、生產工藝及少子壽命控制技術，負責技術人員及生產人員的培訓。

技術指標：額定電流：70A；最大反向峰值電壓：大於600V，通態峰值電壓：小於3V（IFM=60A）；反向恢復時間：小於600ns；軟度因數：接近同類產品國際先進水準。
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智慧交直流一體化電源系統充分利用現代電子、電腦、網路、控制及現場匯流排的最新前沿技術，將站用交流電源、直流操作電源、電力專用UPS、逆變電源（INV）、通信電源（DC/DC）統一設計，通過一體化監控裝置將站用電源各子系統通信網路化，實現站用電源資訊共用，建立數位化電源軟體平臺；通過將站用電源所有開關智慧模組化，集中功能分散化，實現模組外無二次接線，無跨屏二次電纜，建立數位化電源硬體平臺；一體化監控裝置通過乙太網介面、IEC61850（DL/T 860）規約與上位機系統通信，使站用電源系統成為開放式系統。實現所有站用電源高度集成化、網路化、智慧化。
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關鍵技術：
- l6 f& g0 m$ \' D* K0 e. Y⑴ 不同電源系統與直流操作電源系統的隔離技術；⑵ 交直流電源饋線短路脫扣保護技術；⑶ 統一資訊管理技術。智慧電子設備（IED）資訊模型的建模問題是IEC 61850規約研究的一項重要內容。
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主要技術指標：
⑴ 交流輸入電壓：AC380V±15%，50Hz±10%；⑵ 交流輸出電壓：AC380V(三相四線制)，50Hz；⑶ 直流輸出電壓：DC220V、DC48V；⑷ 充電裝置額定輸出電流：DC 20A；⑸ 蓄電池額定容量：100Ah；⑹ UPS電源輸出額定容量：3KA；⑺ 48V直變直輸出額定電流：60A；⑻ 站用交流電源額定電流：100A；⑼ 充電裝置穩流精度：≤±1%；⑽ 充電裝置穩壓精度：≤±0.3%；⑾ 充電裝置紋波係數：≤0.5%（阻性負載）；⑿ 充電裝置效率：≥90%；⒀ 充電裝置均流度：≤2%；⒁ 音響雜訊：≤55dB。
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主要經濟指標：⑴ 年增產值：4000萬元；⑵ 年增利潤：480萬元；⑶ 年增稅金：370萬元。

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技術需求一：
1、需求名稱：大型積體電路老煉測試插座開發
1 h4 G* u8 R/ E5 g3 b2、技術指標：
（1）解決≤0.5mm節距的產品設計、模具設計與製造難題；
（2）解決≤0.5mm解決的成型工藝問題；
（3）測試老煉條件：-55℃～175℃；
（4）測試耐電壓500V DC；
（5）測試電流：1A～50A。
技術需求二：
1、需求名稱：超高頻測試夾具開發
2、技術指標：≥20 GHz，100V DC，常溫測試。
- Y5 F/ J) [8 y8 j# \技術需求三：
& |% T" i! Y/ \8 U1、需求名稱：鈹青銅熱處理技術
2、 技術指標:
(1)批次處理結果無差異；
(2)10000次機械壽命後接觸件不變形，無裂紋產生，壽命後接觸電阻不超過初始值10mΩ。

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需求內容一：
2 k. m% v% r  n! ]6 B$ d金屬箔式聚酯膜電容器具有耐高溫特性，但在高溫105℃環境下放置30分鐘後，測試電容量，容量變化率較大。
尋求技術改進,使金屬箔式聚酯膜電容器在高溫105℃環境下放置30分鐘後，降低容量變化率
, r7 }" j# ~# c  G+ C6 ^" w主要技術指標：105℃±2℃（30分鐘後）；│△C/C│≤7.5%

需求內容二：
$ g1 e7 j: d  ?) G' P: m2 b金屬箔式聚酯膜電容器在高溫150℃環境下放置30分鐘後，測試電容量，容量變化率較大，耐電壓較低。
尋求技術改進，使金屬箔式聚酯膜電容器在高溫150℃環境下放置30分鐘後，提高產品耐電壓性能，降低容量變化率，保證產品的一致性和產品高溫性能品質。
2 Z% ]. o% ^4 j0 E' {主要技術指標：
" @# F' O8 p& q7 U" g* `! F0 c（1）150℃±2℃（30分鐘後）；
; t/ [$ ^+ @, d% q4 ^0 _) f（2）│△C/C│≤15%；
（3）2.0UR 60S 電容器不擊穿。
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高速高壓流程泵具有揚程高、結構緊湊、重量輕、維護方便、可靠性好及適用範圍廣的優點，在國外已普遍地應用於煉油、石化、化工及輕工業等工業領域。隨著我國煉油、石化、化工、製藥及輕工業的規模擴大和生產工藝的革新，迫切需要配套揚程高（H≥1000m以上的）、功率大（P≥132kw）的新型流程泵。

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2自由度平動並聯機器人，在高速送料/分揀中有較大的應用價值，兼之成本較低，因此特別適合我省眾多中小型製造企業，如衝壓、汽摩配等行業。2轉1移3自由度並聯機構，可用作並聯主軸頭，加上兩個移動自由度可構成五軸並聯機床，剛度好，無伴隨運動，易於標定。6自由度串聯機器人，結構簡單，輕巧，可用於多種操作。欠驅動多指手，可抓取各種形狀物體，不需要感測器。

6 y8 `) q8 X$ H合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。RMB尋求

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需求內容一：
金屬箔式聚酯膜電容器具有耐高溫特性，但在高溫105℃環境下放置30分鐘後，測試電容量，容量變化率較大。
尋求技術改進,使金屬箔式聚酯膜電容器在高溫105℃環境下放置30分鐘後，降低容量變化率
主要技術指標：105℃±2℃（30分鐘後）；│△C/C│≤7.5%
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) \* k: T( U* ~. V& j& N1 M需求內容二：
5 i6 t. U+ E  d- Y% I: w  _金屬箔式聚酯膜電容器在高溫150℃環境下放置30分鐘後，測試電容量，容量變化率較大，耐電壓較低。
尋求技術改進，使金屬箔式聚酯膜電容器在高溫150℃環境下放置30分鐘後，提高產品耐電壓性能，降低容量變化率，保證產品的一致性和產品高溫性能品質。
4 P$ ~0 {  p; e1 N" m; s" j8 ^主要技術指標：
（1）150℃±2℃（30分鐘後）；
+ k+ k1 R. I* H$ E2 n（2）│△C/C│≤15%；
, v5 E, J/ h4 h) A" W& [3 }（3）2.0UR 60S 電容器不擊穿。
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發熱電纜採用先進的縱包技術：在擠外層縱包方式將金屬遮罩和八根鍍錫銅絲接地線包裹在加熱電纜的絕緣層上，再在金屬遮罩層上注塑護套層，絕緣材料選擇耐壓10KV的XLPE交聯聚乙烯料不僅提高了電纜的機械強度，更能有效減小電磁輻射，完全使用於各種供暖用途。

主要技術性能指標
- ^2 K- [) }. w1、室溫和高溫下的電壓試驗：不擊穿；
2、絕緣電阻＞0.03MΩ.km；
7 U. w/ t2 P& f$ H+ ?5 E3、接地電阻＞0.0181Ω/m；
4、拉力試驗＞120N
5、絕緣材料空氣烘箱老化試驗；老化前後抗張強度變化率≤±25%，老化前後斷裂伸長率≤±25%。
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變頻器是我公司產品的重要應用領域之一，其對電子元器件的要求相對較高。我公司目前基本採用國內和美國的高壓玻璃鈍化晶片，但在變頻器客戶實際應用中卻會出現高反向浪湧電壓導致的擊穿現象。我們也曾試過國內外多種GPP晶片，但結果都不理想。為此，我公司急需尋找能夠生產具有高反向浪湧電壓衝擊能力的晶片供應商。

) s: H! E! x: v8 i  Z擬提供資金：面議。
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在我國飛機電動牽引車全部依賴高價進口，市場需要大，關鍵技術缺失，少數企業能夠製造內燃型飛機牽引車，但效果也十分不理想，和國外產品差距明顯。特別是無杆飛機牽引車是一種不需要牽引杆連接即可完成牽引和頂推飛機的新型機場地面保障設備，技術要求相當高，越來越受歡迎。

- M9 Y9 B5 D) ]6 K主要內容和指標：
% c* c- v2 c5 T: |% p- J& o( e, VAC交流驅動電機與電子轉向系統，具備三套獨立制動系統，整車通訊網路化，多功能控制手柄，液壓泵、馬達、閥組成的全液壓驅動系統和行走裝置，無杆飛機牽引車夾持舉升技術。最大牽引重量25000KG。
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現國外知名公司生產的低能耗、高頻微型電磁閥均採用控制晶片，其作用是；電磁閥線圈額定電壓起動，降壓運行，這樣線圈運行功率小、溫升低。我公司近年開始研發該控制晶片，由於該晶片尺寸較小（約10mmX8mm），因此控制晶片存在下列問題須解決：1、起動功率與運行功率之比較高，約1/2，而國外的約為1/4；2、晶片溫度較高，達60℃˜70℃；3、該閥抗振動能力較差（線圈運行維持電壓較低，約為輸入電壓的1/3），因此該閥在受外力振動時易出現自動關閥。


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在射頻同軸電纜的生產工藝中，目前普遍採用的是由手工將電纜線頭穿入軸套的孔中，軸套隨電機轉動將電纜繞成一定長度的線卷，再剪斷餘線，取下線卷用手工整形包裝。此工藝較為傳統，首先電纜線的長度不好控制，第二是工序較繁瑣，生產產能低，工作效率也低。現需要開發一種射頻同軸電纜自動成卷系統設備，代替原電纜線手工成卷工藝。在設備中輸入定制電纜線的長度值，電纜線進入設備後，立即開始自行繞圈、成卷，而後剪線、捆紮，送出等全自動一次成型，無需人工在旁作業，可大幅度提升效率，提高產能，滿足射頻同軸電纜的大批量生產需要。
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電梯停電後乘客受困時，該技術可立即將蓄電池提供的DC12V或DC48V電壓逆變升壓，得到AC220V或AC380V，供電梯控制系統使用，以及時解救受困乘客，要求形成的產品具有價高的性能價格比。在高樓林立的今天，靠電梯維保人員逐一解救因停電受困乘客會使乘客長時間處於等待救援狀態，因此本專案技術及產品具有廣泛的市場需求。
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目前國內單晶矽研磨片廠家普遍採用四探針儀進行矽片品質檢測，非接觸電阻率測試方法基本集成於大型矽片檢測系統上（如美國ADE公司的7200型矽片厚度及電阻率分選系統），這類矽片檢測系統設備昂貴，主要應用於需要嚴格禁止矽片表面探針接觸的拋光片測試上。而作為研磨矽片電阻率分檔測試應用，分立式非接觸測試設備在設備費用投入、設備使用和維護上具有顯著的優勢。國外目前已有較為成熟的非接觸式電阻率儀分立設備，但在功能設計上無法實現電阻率範圍全量程測量（典型矽片電阻率範圍0.001 ohm.cm ˜ 100 ohm.cm ）， 需要通過高阻（測試矽片電阻率>1ohm.cm）和低阻（測試矽片電阻率< 1ohm.cm）兩組探頭來區分測量，通常會設計成兩台儀器供使用者使用，給用戶帶來使用上的不便。
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5 o8 V9 g# v' G% T1 v$ y 技術指標：（1）矽片厚度：150～1000μm；
               （2）電阻率檢測範圍：0.001Ω～100Ω；
/ d% \3 q8 t8 [+ W: B, J               （3）電阻率檢測精度：±5%。
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