版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～
1 F" B. g* g  S

蔡廷暤@FB

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# D0 W' M, l, R& d

AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
( v, d: C& _: d!!
- g  n+ Q' t" [感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
9 t: ^2 q( M" M4 R3 Q6 Z   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
   
   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

" k9 b3 l; A* c" z  j

adjamie

謝謝分享!!
6 ]# I1 _1 j* }3 W) k學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
3 K/ W: t- g% f! _; s+ X想找些教學資料參考
: k3 Z6 n4 b0 b謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看

何建頫@FB

謝謝分享
2 ~2 y0 n. t& L! h看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
  i4 e3 g/ Y/ p: H% c* B6 z

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
' G' `  u8 g2 s) T6 ~. v. A希望能對我這個菜鳥有幫助
0 t& r6 j% M7 ?& E. G5 N

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
8 k3 Q5 x: q) z4 v

spacedpp

" I, I% S6 Q% \; a$ ?, {謝謝分享,
/ s1 h8 s0 y8 S3 s/ i. h  ?研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
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