Sansen讀書會...

賴永諭

剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...
Slide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S)
5 ^6 p/ H$ M/ P7 ~  VSlide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀

賴永諭

! ~- m1 _5 P: S" B8 V7 a

賴永諭 發表於 2024-6-6 11:16 AM
5 e7 |* }, f: S" W1 [- G- NTwo stage ring oscillator analysis文件上傳~~

5 A7 f! Y/ Y. [6 r8 `Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
" J0 ^! C/ J* k: Z/ B

賴永諭

Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
$ {8 D2 p9 g' @: g% o, A

賴永諭

Update 文件~
Two stage ring oscillator analysis
1 @1 o! q* L0 l, ]

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
slide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis
+ w6 v  d) }! Z% ~. e7 ~
" o( V# [2 f" r4 q, N- a) T& s  n2 _https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing

賴永諭

RIP

: P7 V* y+ g' s! z1 E* G0 PIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

! C2 }! S, V% r7 r# I# @https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
1 l, v+ Y: F/ Y" X' y: @slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

4 X* F6 W9 e/ igmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS

5 O( `. Z9 h8 c) a+ u6 s1 t

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
2 x; X7 m3 A6 V- W6 i
; [1 I- B$ y# j/ y( Cgmmax 應該是C1WC1/2C3

=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

slide 2222
/ g( g- u( @& D$ k0 a, h7 VVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 j6 ?- G/ ]  D+ p/ _7 h* {2 G

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
. B8 ^  ^. N: b用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
  @5 i3 x3 r2 ^  t/ Q( q所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
% A! K  w1 ]3 {3 D( X

賴永諭

slide 2222
( j( U) Z( ^0 C" `% yVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
% X( b7 P' ~1 v/ E$ C5 n2 Z" `% J
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
' h4 L$ T4 H7 u$ p/ d0 F+ `6 x  c+ C: e所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
7 Q+ ~  i7 ~$ b* z0 k/ I# {& z# w7 bVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
& ]0 l/ Z0 i2 C& |' c
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
% o4 T8 v: [$ ]% g/ u* p用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
4 q% A; R4 N+ ^2 t% m# w& p所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 0513
; e1 v  c; ^8 Z3 W( K2 w分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
* l* C( V# s2 L% l: }4 k1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
. a% m9 L6 o3 y+ L. b& M* c, k) B分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
7 [  U- G, b& ?/ ^5 N2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0444
- G( D& a2 N% uNoise of a current mirror with series R:
3 I$ g- z7 c. {2 H: I/ A前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
/ a' l! y+ n; p) D! |- b還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
; z- p4 G& B1 }5 i0 G謝謝~~幫忙回附一下
0 H$ y) V$ D5 U' @+ p+ a

賴永諭

Slide 025
/ E% n3 u" x+ q. ^0 q9 _* ?2 d: ZNoise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
9 i3 `3 t- V* y$ I) _Ref: silde2219
' x# Q" w" y2 o$ P  w: A, B( qStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
/ Y1 H' W/ S, S所以Rm增加beta

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

slide 097
9 D1 e3 j- U- e1 j8 yIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
: ?2 f" y& Q, s2 T( Ldepending on the phase margin required.
=> 更正
! V& M& H1 Z9 ?' R, p  HIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.