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[問題求助] e-fuse?

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1#
發表於 2007-8-22 16:35:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近常聽到 efuse! 所以想問一下有試用過的人!!
" x+ G8 i5 z" u1 t" ]+ O其原理和優缺點是什麼唷?$ Z7 M* M( Z% a5 S
一個好奇的人想要知道唷!!7 w- l5 ?: C* K+ {

" Y* S+ Q6 E+ _! s) {! u以下是 Fuse & Trim 的相關討論:
  A' R" M  G9 G, D0 |5 `poly fuse 的問題 6 u' R* t( `( y' Z( f- M
poly fuse 大約多少能量便可以燒斷? / N# Y0 L( x1 z7 T7 n
如何判断poly fuse 已经blown  1 o* v' ^+ a, u
有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  % J! G$ a  h/ X& t3 S
Laser Trim
% |5 T& Q( Y/ S  R% F: H. E" u+ C" F做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  . z9 U4 c9 U6 M
Trimming method?   
0 L6 v( a: i. v: M: CCurrent Sensing Resistor Trimming!!   " b2 M  h  `7 h2 c6 g
请教做laser trim的注意事项  2 `2 P& ]" ~7 a/ B
Current trimming 要如何做呢?  ! @$ z1 S! `5 f2 I( E9 i  w; }
9 E2 \% p+ |' n7 Z; j
$ T; l/ E9 ]$ @+ G( _: B9 J

# C0 P/ g" R5 E' e0 ]3 N, Z6 f( b' [8 y3 N  Z' F
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:40 PM 編輯 ]

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monkeybad + 3 有什麼問題大家一起討論啦

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2#
發表於 2007-8-24 00:12:49 | 只看該作者
這是在網路上找到有關e-fuse的解釋:: b0 A5 E; W) G- c  M- A
A method of using an e-fuse device is provided. The e-fuse device includes a poly-fuse having one end connected to a source/drain region of a MOS transistor and the other end biased to a voltage (VFS). In operation, a gate of the MOS transistor receives a step waveform pulse signal. The step waveform pulse signal encompasses a pre-heat voltage (Vp) at a first level during time period (T1-Tp) and a maximum input voltage (VIH) at a second level during time period (Tp-T2). The pre-heat voltage (Vp) is smaller than the maximum input voltage (VIH). The step waveform pulse signal is confined to a minimum input voltage (VIL) before T1 and after T2. Preferably, the time period (T1-Tp) is longer than 5 μs.
8 {3 a8 N+ H& C* l6 J1 q$ X5 y' a/ x$ H9 p
個人經驗:& Q; g$ T+ s) z0 l7 m
原理就如上面所提,它算是一種類似保險絲的被動元件,可以由外部來設定為"1"或者為"0",而設定的動作在我們拿到wafer且經過初步量測後即可作設定的動作,再者,它只能用一次,設定後便不能再更動5 p. }- ~, a/ T2 g
不過,要用e-fuse要看製程廠本身有沒有提供這種元件,如果製程廠沒有這種元件的話,那就無法使用,只能使用變通的方式,如metal option
+ t: e& {: V. O3 ]% h1 h
) B! I) ^! q5 Z. Oe-fuse的應用還蠻廣的,舉個例來說,我曾作過一個2.8V ~ 12V的LDO,它的輸出電壓可以由外部電阻串接變化型的,如輸出電壓由1.8V ~ 11V由客戶自行搭配組合使用,也可以是直接由內部控制固定電壓輸出型,如固輸出1.8V,2.5V,3.3V等電壓,以應用來說,它是四種不同應用的電路,但以公司成本考量而言,它希望電路只有一套就要能夠符合上述的所有組合
- G/ D$ ~5 e5 H# I' x& a5 N4 d9 v所以,我就必需設計出可以符合上述所有變化的電路,而不同的組合變化就由e-fuse來設定,如果今天要出可以由客戶自行搭配的LDO,那就燒掉其中一個e-fuse,如果今天要出固定1.8V輸出電壓的LDO,那就燒掉另外一條e-fuse,依據不同組合燒掉不同的e-fuse' `* G1 N! u9 `( A0 R$ k
如此一來,GDS只有一種,光罩也只有一種,電路組合與應用卻是好幾種,而這就是e-fuse的優點所在,以最少的成本卻能夠得到很多種的組合變化

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monkeybad + 3 Good answer!
sjhor + 3 不錯!回答的相當好!!讓我長知識!!

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3#
 樓主| 發表於 2007-8-24 09:32:49 | 只看該作者
這邊有一篇IBM介紹 efuse 的文章 相當不錯( a  v  i! S8 F  [3 D4 c4 E4 z

" D8 }% B* u* l9 X8 C: T' A2 f2 W介紹給大家唷!!1 ?0 Z8 b# R0 ?+ L8 e
' j1 m2 d0 Y2 p) I- w: q
[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-11-19 09:37 AM 編輯 ]

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x
4#
發表於 2007-8-30 04:35:09 | 只看該作者
大大的解釋說明,好詳盡。- O- A* _) [  Y) @9 t
但e-fuse主要還是用在客製化的產品和需要驗證的產品。' z$ g, ~) v1 h" x1 Q6 f$ c
若將e-fuse常用於產品中,會增加die size的成本。
5#
 樓主| 發表於 2007-8-30 09:21:07 | 只看該作者

回復 #4 JohnsonLLL 的帖子

我想 e fuse 的好壞需要與傳統的 fuse 來比較!!/ V+ c& ?9 n  q4 J
傳統的 laser fuse & current trim fuse 在網上已經有相當多篇的討論了!!- T: l, f1 J* q3 F5 j' f
laser fuse 其 chip size 增加較小  但是要用 laser trimming 的機台  這也需要費用 還有 laser repair rate 的問題。* z+ a- Z  s: K3 l+ T/ A
Current Trimming 也會增加相當多的 chip szie 也是會增加相當多的成本!!8 p) o  A: G0 s9 D

* i6 ~7 U8 s+ i% D( j目前比較不了解的是 e-fuse 是不是有比較佳的成果!!
6#
發表於 2007-11-17 17:21:50 | 只看該作者
請問我已經付完了~~為什麼也不能Download呀 ?
& _7 |0 b; _& P請您寄至小弟的mail可以嗎 ?
$ F9 i) L: g9 Qantigm@pchome.com.tw) t/ N8 e& k, W; m! t
謝謝~~: t2 x" p, e+ p8 t& A. ?
# q( u8 ^) g; ?# v$ f. V
原來權限=20,現在成10了。
) [' s7 y, ?/ u7 g" @
! n7 s: I% D9 f( _- N3 v[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-11-19 09:40 AM 編輯 ]

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sjhor + 1 全線已經改為10!應該可以下載了!!

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7#
發表於 2007-11-19 16:09:51 | 只看該作者
goods, thanks a lot, I like it so much...
8#
發表於 2007-11-20 01:11:03 | 只看該作者
推  
6 D/ {% c/ t$ v0 x* N$ d! l) ~# Y好文章  就是要拿出來大家分享- ~  d$ l; {& n8 b
這樣台灣的rd才會變強
9#
發表於 2007-11-20 14:02:51 | 只看該作者
不错的技术讨论,也想增长一下fuse方面的经验,谢谢各位不吝赐教.
10#
發表於 2008-1-12 01:41:29 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

一般的fuse 是由一條條的 Metal 電阻或是其他種類的電阻所構成的邏輯電路; r0 o$ |' ^+ |" m; Q
當CHIP Power up之後, fuse ckt的output會被keep在 high
4 C# P$ _9 r& e9 r& x直到你需要去 trim timing或者是 voltage的時候 把相應的fuse用 Laser打掉
( t  x: k( [; c' Y1 x/ U4 f讓 原本輸出為 High 改變為 Low準位  從而改變 timing或是 voltage% i  X# m3 W) q: f6 E! t) X

& H  b% N& ]" Z& l( E但一般來說這種作法 需要測試工程師在機台上去打, 如果 貨交到客戶上才發現
" S5 r" v" L5 \0 W0 w( Ftiming或內部電壓需要調  甚至是有 ARRAY CKT Cell fail時  (這是惡夢!!)
3 T# \8 R2 d, s: }這時候你如果有 e-fuse 電路   就可以用  高電壓來取代 Laser- l; G; A/ g) y) b
把 fuse 燒斷, 達到你想修補 fail Cell, 或者是 trim timing 及電壓的目的& d  {+ R5 t( Z' l1 e4 g) C
# s. B1 ^2 a/ H; n; k' P
但是一個e-fuse電路 相對於一個一般的fuse電路來說 面積會大很多) q% w3 ~+ R4 ^# O
基於殺雞不可以用牛刀的前提下,  e-fuse電路必須要用在刀口上才行

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sjhor + 3 Good answer!

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11#
發表於 2008-1-16 09:40:27 | 只看該作者
就我的認知,e-fuse只是一個有別於傳統laser trim之方法的簡稱
% e( a! }% C$ g0 h. V實現的方法有許多種$ H2 V, ?7 h! T/ A; ]! ~2 u
1. 採用trim pad : 利用大電流燒斷metal / poly 作為 0/1 的信號
- F8 H+ j" t2 J) h: Y( `2. 採用EPROM/OTP(含1P OTP)/FLASH/EEPROM 等元件當作是 0/1 的信號/ e6 ~5 Y5 l- I/ Z8 O0 b
    在power on時讀取data,力旺的IP即是以1P OTP當e-fuse

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12#
發表於 2008-1-23 10:42:18 | 只看該作者
It's wondful,I'm intersting it
13#
發表於 2008-1-24 13:06:22 | 只看該作者
感谢感谢,找很久了...................................
14#
發表於 2008-1-30 11:08:29 | 只看該作者
e-Fuse在實際的產品應用上,其實是利用高壓在測試階段將所需的狀態改變,利用高壓將資料寫入。
3 s! S' |* F2 B7 I# ^$ |* aPros:9 A$ M: n" N. x7 o3 B
1. 不需在FAB改變Metal層, 方便使用
% G. _! P( I: {$ H3 l* `* u2. 可提供一些model差異化,不需用bonding package去做
. W/ A7 M/ S3 S4 D/ m# t3. IP容易取得
0 x2 p" [8 M) l9 h8 h. q7 M% O9 }  M$ f
Cons:
4 t! N: J+ k7 I9 N1. 只能寫一次,不能再改變$ x2 K0 h1 `4 l  S7 e
2. 牽涉到高壓方面,有可能影響良率) _! D$ g4 L) Q- F
4 U8 o& d& Q- E) g  N
其他技術方面,爬爬上文解釋得非常清楚。
15#
發表於 2008-7-28 08:44:36 | 只看該作者
最近才開始工作,+ S4 o& z7 M/ v
一堆新東西都是當初在學校裡完全沒有看過的
2 N! Q( X3 C2 u現在手上又開始要做新產品的design review
+ H& Y# L' S( x1 d偏生這些東西是什麼鳥都還不知道' P' l- Z8 F) ]
剛好看到這東西
* O" O% R/ a; ]一整個大感謝
16#
發表於 2008-7-30 21:35:13 | 只看該作者
非常感謝大大提供這麼好的資料感恩啊 ~~ 7 h6 M, b: S1 r
謝謝啦
17#
發表於 2009-6-22 15:30:22 | 只看該作者
正在做这方面的,看到的都是传统的fuse,看看这个e-fuse∼
18#
發表於 2009-7-9 11:44:07 | 只看該作者
最近也在做相關的工作,看到了很 metal fuse 燒不斷不現象,正好來這邊學習前人的經驗!
19#
發表於 2009-10-1 09:45:17 | 只看該作者
各位大大....謝謝啦....我最近一直在找相關資料
20#
發表於 2009-10-27 00:15:51 | 只看該作者
感謝分享阿 原來fuse還有這麼多種 真是非常感謝各位大大的無私奉獻
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