Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
A gain of 1000 is expected.
/ R6 U$ F: ]8 L" F0 @* W=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1

& g+ f8 e+ W1 e補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
% V- w/ E: T+ FSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
3 m4 w  M# y! E5 X$ A" s
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
+ w2 A. W- d3 J# DSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
1 n8 l9 D& x- Y+ u: cOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
9 e% C: w- E! s! d9 \9 \Output series: Current sampling輸出電阻變大

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~
& V# d( f& f5 ], E! G( h
2 p- P6 `* d; ^8 k( Oside 0732
) w0 o2 }3 E5 m! W只需要3各bias 點~
M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
+ H% G  `. A8 h0 VIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.
=> 更正
9 k3 `: R0 W4 O+ s/ v) @5 v+ G' K4 v; wIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
0 X0 V6 z* g7 e; X2 j8 j- Fdepending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
( f% ?  P8 v' U  j) d/ w$ b實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
8 N  q* e3 a- v8 ], c8 qCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
1 V. C+ l6 L3 q  @所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
" ]* I& O* o- M5 o8 VRef: silde2219
: E  F$ ]! q9 h' ?Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
) [5 b% m  F8 Q* _$ o# p9 \0 `Noise of a current mirror with series R:
. [0 e' Q% o- G  A1 r, Z前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
3 C6 l( N1 Z7 J, w# t謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
8 Y8 c6 v% @4 K. m7 r, g分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
, K  K) U" w. x% S3 P2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
1 P" w, k6 V, w分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
& i- W  U/ U, J& @/ I3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  H9 L& F. Y1 ~( j% g+ @  n
2 S2 }% |4 v+ y; w9 o9 I=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
3 M. ?$ Q9 p9 m) `4 q6 e用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
: q* o2 h* c) J+ Y# ]7 \' Z  x: h' @

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
* D: i3 R8 i# R
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
  F4 B" J( f6 Y+ Y9 [; V

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slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
2 Q$ f& T. k( a' j3 o所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
( W  W% ~6 \) X# W+ s) uVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

( H0 X/ W. F; y- o" C+ q=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
. k, P8 _+ X- q! L" H

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA

6 b% V0 v; ]' y: C5 Q1 Dgmmax 應該是C1WC1/2C3
& j* G( o" w" L) s2 ]3 e# c
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
  @0 t& I0 h6 B# b" E: ^slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
* c* `# E! E7 \( h3 C) ]and 4WsCL^2/QCS

3 }0 M$ b9 A4 N6 I1 V0 \; V' z( n

賴永諭

RIP
# U, ?: o0 O" I, I. M
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
$ i8 z9 @1 y" y, j% i8 r, _
! l6 B, a: S5 r0 fhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
slide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
  H! p1 j3 C& w; Z4 i; F* m