Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
A gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
: }% x8 U/ l0 ^4 @/ i% h. h9 CSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
- c. v# Q& G8 f4 P- r7 \( T
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
- `7 K6 A/ G& ~7 j9 ]) p' E1 r9 e
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
8 J1 y4 f1 d9 G7 Z( k% wOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
0 d3 {" `  b8 X8 L, t6 hOutput series: Current sampling輸出電阻變大
3 J' h# H+ ?; t5 }6 @

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~

side 0732
只需要3各bias 點~
; W! W. H5 c: R% B' ^M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
; f$ x3 R$ b; X' g* ?! @It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
! m& I# [7 ]" [. H( x% f. c. j8 _; o回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
2 E! ~8 F5 P, R1 f0 L1 ^0 L實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
  E3 _3 W- v! J

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
# l7 n5 f2 w* r* ~1 G1 ^Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
Noise of a current mirror with series R:
, E6 y6 L9 [5 z6 ^4 l+ P前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
# o( M/ ]! o$ p+ t還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
: g3 Z. C& X4 ]9 M( [分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
! D) E7 o' E  f# r; X1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
# v& g$ ^' N- a. m2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
7 q* ?& L5 B: x; `3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
. z  C2 ?* [3 [* Y/ ^5 g3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

- b$ d' H3 L) ?=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
( r( ^$ L8 c3 x用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
+ R  b) u( J. h1 `0 a/ H7 j

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
' G2 j& L$ A: {6 |用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
; A7 R6 i9 E. X. O7 [4 ~; l5 h: J; G

賴永諭

slide 2222
! ?- f; ?2 H/ S  |, tVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
/ M  W: \' M; ^/ I
) D) ~9 I) A) X=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
, E# ^& S3 B2 x/ x& H$ N  h用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
5 E* l4 Z, i7 d% G9 W# q所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
/ G( B+ V" c0 ^7 |
" j$ S! y9 X4 K9 @6 i8 _gmmax 應該是C1WC1/2C3
$ I. t5 ]& a' H; ^
* k8 R$ ~& e6 R4 x( ?6 G3 I4 a=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

# ^/ s- j- i; \; x, wgmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS

7 O/ ~+ b) ~* K. H: o6 v
9 m. R# s) {/ J5 j

賴永諭

RIP
# w: Y, k" s% v/ f% R% v
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
/ A* f$ C7 d1 A( G0 M$ V# Z( Z
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
slide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

( N8 o) L, |8 L6 I3 Ghttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
4 H9 C! s% x- ?: V: N