ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
+ ?3 H. j# W( @: T, Z8 {1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
1 n" V: ^- X1 s2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
4 o, `& N; _8 q1 R* A; }失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
( v$ o4 l* g' e8 x要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
$ f" Q) v# s$ u1 W5 Y% g& F1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

) n' q  b, h% Q' E& B, v8 ~0 \1), 請問製程為何?
+ j3 E- K) m& Y- `; U. c8 ^ tsmc 0.18um
5 `5 l" H, A9 t' G4 ?4 }4 \4 m
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
7 u& M9 }, O* j! T7 ~  i8 ?" j两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
9 `3 |2 C, U. i- k: j均勻是指什麼
" C$ \$ K7 ~# p/ @3 s方便貼圖上來嗎