Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
7 |% I/ {& o% m8 g3 {: qA gain of 1000 is expected.
; |& ]) l2 r) B  Q3 s=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
; H3 b3 |7 u( S" Z3 X* R6 p% R6 Q
4 M0 d" H/ p# p補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1

& v% A  \9 a1 Q. V/ ?補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
0 g" c  p! n- D( Q  z8 iInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
0 @; b/ b# V1 }3 E( P8 L8 o4 IInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
. q% W' G1 p; X# X2 aOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
8 R+ h: q" c' ~; A! t. ~+ ?Output series: Current sampling輸出電阻變大

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~
5 F, [6 Y6 a, T4 f& p" ]  B, C' ~
side 0732
只需要3各bias 點~
% A5 x* F$ ]! W1 ?! q( p; n1 MM2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
5 t0 m2 s% E* V4 `) _' G( OIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.
; Q8 U3 N( j3 Z, @* r=> 更正
  z$ f- e( K5 M4 E! gIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
6 u# B# \, @5 o2 vdepending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
5 z5 h  c% K) w( N3 T5 h9 }回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
0 B7 I$ L5 H* e% j" w: OCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
: h8 S# S. y+ F所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
1 M( S8 S' T2 k) fRef: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
/ a. d$ D( u. i0 z. |, UNoise of a current mirror with series R:
  ~% V: k+ w! U! X( {前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
9 L+ X6 i! I5 E# O$ C/ b. }( d3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
) y) Q  w& x  I6 BVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
- m( D6 ^2 }2 M4 A: r4 r
6 i) w) X5 s( L% U" P! z=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
# x$ y/ z# p& u" R& M所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

" u2 H. T" u* c* i=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
- t0 b" X: w5 Y# ?1 w% ]/ w# pVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 M) N% G/ `4 n; p* R
, S; r: O9 R* k" w! t& w" m=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
) [/ i6 r2 h4 O7 x用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
* E, s* o: }0 J7 s, v8 c. {( E2 |
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
7 w: U& Q; h% ~* u; s所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
& ]6 h; P3 n6 X; w

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA

gmmax 應該是C1WC1/2C3
1 G# j* J4 Q5 i2 @; D3 i, M$ G
, A) d2 A- a! O% {, D=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
9 }8 t7 J; b! b/ w6 S; `) {6 w& sVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
, |7 d) G; Q3 i6 O! E6 O; d" Gand 4WsCL^2/QCS

賴永諭

RIP
5 T* k: x* ^/ a
9 W3 x5 n9 N$ I! k, j; ?$ EIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

$ D* u) ~0 r' ?https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
! X' y% r% Y) L$ k, Z0 jslide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing