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再來領個RDB..., H Z$ J m, P
% e# }" j, o5 { ]2 O! h$ P6 W1 v/ vQ: 動態鎖存器、記憶體需要動態刷新;靜態鎖存器、記憶體不需要動態刷新?" z! P9 @. a4 h3 [# a4 u
A: 是的...一般來講沒錯8 V* T6 V& w L5 I
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Q: 兩個存儲方式不同,動態有內部有電源到地的電流通路,靜態不需要,所以前者會失去信號,需要刷新!!$ |8 p( ]+ G- R5 M* O1 E% ~3 C
A: 不管是動態電路,靜態電路內部都有電源到地的電流通路, 一般稱為漏電流, 只是因為動態電路使用電容儲存狀態, 一旦電荷不足以表示邏輯時會造成輸出錯誤, 所有才需要refresh, 在輸入變化的頻率週期大於漏電的時間時, 就不需要refresh. 而靜態電路是靠迴授來記錄狀態, 故不存在這個問題 h3 ?9 M0 a. {/ K/ o* t( C
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Q: 不過敢問兩者的速度比較如何??" T# U/ J* s6 x p
A: 在0.18um COMS process, dynamic circuit約可以操作在10G~15GHz以上, static circuit只能操作在1.5GHz左右, 前者使用fully design flow跟設計及工作電壓有關, 後者使用standard cell libraries. R. s9 T% X; ?2 Z
) `0 B2 |( t8 v+ `! R& `[ 本帖最後由 tommywgt 於 2007-2-25 10:46 AM 編輯 ] |
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