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提供一個之前用的方法, 2 q9 c) `0 m, @- ?" j1 E3 S
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)- ~: E& W% T x* q: F
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
6 ?4 E {# S5 wVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
% }& ]) c( B; Z! q, I0 T
9 Z, {( u$ v. [8 R4 l$ n" w) b# l由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)* j1 M# g8 r3 w. M7 T
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
8 d0 t$ U+ g6 a+ G& r由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)/ I) |% G# {0 x" ^/ s7 G
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
: n6 M, o, P0 ?% ^6 v z' S/ @7 ]
* H$ r8 r2 l* H/ b將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
. N7 G, @+ U9 u- e, v; G/ u4 ZKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]/ S0 \' i# @8 ^( s7 O+ k+ I! g% U
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
$ V4 @3 V( C$ {- s% F, V! u2 C- d# r4 S9 J
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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