Sansen讀書會...

賴永諭

剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...
3 |" g1 F* r# H0 {3 z7 q( [1 S- z$ ASlide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S)
Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
* q- N# R# X5 O4 |  n 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-6-6 11:16 AM
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~

& i" D; g# g2 l+ m% J- l& LTwo stage ring oscillator analysis文件上傳~~
0 J, l$ _7 k. |, O$ s

賴永諭

Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
# M$ }5 `3 R1 x2 [9 a

賴永諭

Update 文件~
2 l8 F+ b! B4 \, S! G- }2 jTwo stage ring oscillator analysis
9 \: n# v, Z0 w" d

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
slide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

# p3 @* j. M+ phttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
7 K4 X5 x4 o' q0 V  V1 h" d' l

賴永諭

RIP
% d, g1 P7 G3 V/ L' O" P
" J# X$ e! J. M) E( x! Q/ PIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
5 t( H! k- h$ C' E" F
- D( D) g# }2 m5 L2 l: Qhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

- |0 c. |; i4 M7 S( A% ?gmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS
9 v1 A' V: P8 M# P4 j2 `
. ~2 `# g3 X6 O. ]5 }4 B( @
- Y+ A# }3 Z' W4 M. \

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA

1 H$ d* d+ _& G' u; ugmmax 應該是C1WC1/2C3

/ H0 n8 U6 ^  ~=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

slide 2222
) ~% A! b' j: ^* U7 g3 B" o9 }2 {* jVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

* z/ Q+ q( a( r6 v' I=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
$ h% ]3 q5 `4 }# s, X, _% P所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
0 D5 f$ t+ \4 F1 sVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
8 v' F& y0 y# z3 y& j& o! O
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
6 g# a7 v- e2 d5 O$ {2 F( b用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
" C' w! g' D! O6 w3 F所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  F. ?) f* o# E' L, h6 I: W2 N
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
# V  |- k* v$ g: m( k所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
" O& y9 {, p( n* W0 Q2 T0 ~6 k0 z

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

) B1 I8 V- ^$ @1 v$ h& ^9 y=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
! z! }: u' ]1 p. \$ A( V: ?  \# b所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 0513
( O8 a# i9 ], S6 U- Q分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
5 u$ J. s3 A& O8 J' N# R1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
. X/ \7 o" Q! U- [+ x2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
  {5 c( d4 _+ ]: ^7 X" _' i3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0444
3 i: q& o: f9 G$ v7 D4 g" NNoise of a current mirror with series R:
# I0 M% W% [3 B! F( r( ^3 X# |) w前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
' d" H9 B( z$ H$ z0 g謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

Slide 025
# H. [8 f. g5 _/ }Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
2 w2 w$ I9 d9 t6 h; C! NStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
( g" r9 `8 g4 C3 a. H" d$ V1 jCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
4 A3 m' y/ |1 K5 ]# [/ x所以Rm增加beta

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
& U# U3 s/ M2 ^: A! H8 t

賴永諭

slide 097
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.
. f$ E$ m0 e/ L' e$ H8 a=> 更正
& P/ v5 j+ t5 H6 J7 G) a0 T' pIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
; n& J( [4 g  z! B9 x( h  o. ~: F3 ndepending on the phase margin required.