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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
& d5 F: i# z! L! i+ n# pA gain of 1000 is expected.) m* g1 X- Q# P3 L, E3 D& a5 M/ A
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: % v! K- Z' K' g7 m! R
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1$ J0 p( N8 A/ g, J( r
4 y1 T1 U  ?0 p
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
1 v4 N( f  p+ G1 b! ?% |% qSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1# |9 o3 _3 d8 M+ o* p6 t' B5 y3 ~

) }+ O; C* I' `' A( J8 J補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
  q1 v2 Y6 n# [/ o6 n( w  ?- PSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
4 B1 ~! p/ `6 F, K* h* cInput shunt: Current mixing輸入電阻變小9 o' X8 B7 x) i$ o( p+ j
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
& A: p3 C0 s# q- ]- Z) I# xOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小. A. q3 T! N% s9 F+ ^/ O) m
Output series: Current sampling輸出電阻變大
0 z( a8 a* _6 b! S" V" ~
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
4 G5 a6 w% G( J: _! `% S/ y, r需要4各bias 點~
/ k# Q8 S2 S; T# t
7 I! s9 ?$ T, ^' ]) pside 0732
- }6 j) p& C3 j2 J只需要3各bias 點~/ B, s/ |- @* |' u3 A# e
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
9 i* m: ^/ ^9 A7 dIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW9 C+ q* z" o5 N/ P, j$ d* x2 |' w
depending on the phase margin required.
6 y8 n! c7 r* _0 X  f6 \=> 更正: V5 ^- B+ V6 b- ?4 V) F4 c; L
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
! z. w; b6 m2 ?$ r; D& Fdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
3 U4 }7 B) G4 Q9 l回復 32# tuza2000

6 Z/ T( Q  G. i  L" V7 N3 d上面說明有誤~# W. K) w5 A1 T' A) D9 V
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接# m4 X4 b0 k& o; A2 w6 }3 b# ~. ]: P
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)8 r: k% j) j& C
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻0 ^* D6 O5 Z5 m0 z# N' s
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
, B& O2 S7 d; ?2 }Ref: silde2219
" k' k8 C; b9 t8 mStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
4 }6 U& }4 Y. H/ jNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 04440 v6 C* }+ O1 ~
Noise of a current mirror with series R:
  `4 o' ]3 Z- s% I" s$ _$ ^前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!5 @* I# E0 B1 h) ^: P& {6 \9 O$ O
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
' k( i7 A& U/ s* s) Z2 ?% i6 V" t謝謝~~幫忙回附一下
8 b; O/ B$ G% V/ q
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
# x! g7 Z3 ^" L5 r) _4 V! L分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
! d3 s2 R, p7 `1 ], {1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。  M# W, e1 y6 u6 D' }+ u* @
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。5 E3 D- k; Q/ }: d  c
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
4 n! v  ~1 t- o- T6 F分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下5 h! f6 M; o9 K3 E' k
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
$ P  B( p! r( v2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。% ^8 I, x  v) t8 h& i  R8 b
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
  G( N7 J" A# u7 C* e$ ~; H/ c8 xVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
$ B$ ^* a# I! U" }: y
8 H- f1 t/ b8 n. }=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2: R% o! b. H2 `  G) E4 k
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻8 o+ u6 P& x& r
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
9 }2 G3 e. r9 a8 W! B1 j
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
9 b( }; }+ Y, p" [# o) K2 ?# {Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)- @6 x. z) m6 f4 z2 ]: {' Z" P  ]+ Y

; f* v' z: I2 W=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
5 f1 [- L, }3 g+ \$ v. ~' w( d用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻( T# H% j. c  ^& n
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
: e/ ^4 c) z2 ~
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
. c# i5 ?, z  t# B" DVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2); F, N& i, l  t( P
( U8 ?0 [, x  y/ }( N
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2" t$ g! g* T2 P
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻! \  w+ {  n; w! q' z9 \, ^( k
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)9 T( m  i% @& M- c5 T% q
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222/ s/ U9 |8 b8 T. v3 c& k
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)- L% X+ X# c# C& O% H9 d! B

$ p6 E& T" A% X2 j=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
$ P9 q, I# @8 H* M* b, F+ {用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
8 {: g( K& E0 [7 p1 Q所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
8 a, ^0 |* m" \- `$ v  |: W
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA4 e( v0 q% N$ g- `* i) j
" m1 ?! I1 `$ ^/ a4 n
gmmax 應該是C1WC1/2C3* Z2 _; Q. f/ x; W6 L) W) M2 D
' E- S8 m! N' C; L( R
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
4 W. q& X; r2 e, K8 a) Sslide 2222
! I; \4 v9 d8 U7 w6 J2 L) d! kVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

- A9 |* S4 Y8 }$ v8 v  JgmA~ 4RsCL^2Ws^2: A- |+ K/ Z9 f% P  h
and 4WsCL^2/QCS
& |) n& I: R* X. b. ]0 G+ b& K% R1 e- a
( w0 v3 N0 X* d- Y  l, l6 z) `
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP 6 M) w! [# a4 g* f) K" N1 n

9 G# O: W3 V! R* d; q) lIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
  I) e& R1 ~8 g4 t* V2 H& t  \! N* h" e% [* v5 _
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 5 天前 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators
1 W# U9 l) ?1 {# G- Wslide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis' U" J3 E1 P, y, s
6 U6 d( n- l% t( g
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing3 A0 G( ~9 l/ Z' R9 F* v8 F
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