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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
; p- I2 V, m' YA gain of 1000 is expected.7 l: n7 L3 Q7 f: y3 I; l& K. c
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: ( o* Q& {) y  Q- _* i. y( l
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro15 Y( y6 B1 p. I+ L) S, X
! X; S( U, m: ^; N( p2 P
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
2 @- z& V; w- o' @- f, u7 V3 QSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
& A3 u; ]5 l8 X4 _% I  o9 L- b: ^- w! `% h) z2 G. Q
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):' G% q8 l; c- w; L) Z* f
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:9 v; v3 v( ^. t4 W* h# ]* C
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
2 y9 @4 k1 g; f5 Q2 i0 P0 DInput series: Voltage mixing輸入電阻變大8 x' I; v' b3 r& `: R4 R# j% F5 A
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
; K$ T4 o7 q/ }- T. |Output series: Current sampling輸出電阻變大
8 d0 _+ y+ b! T9 @+ t
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
( e9 t" W5 P/ j需要4各bias 點~
! h, Q8 x2 @4 a1 @8 r% j) \# Y9 p+ r- T' |8 H
side 0732$ C2 w% V' f1 j, |: x
只需要3各bias 點~( n8 Q' o  ]/ h/ f5 m' F
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
- Y4 e7 W) G7 B1 Y5 r& X2 A1 Y7 cIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
3 W$ f$ S2 C% o5 ?, v1 Edepending on the phase margin required.2 i6 t# i4 ]/ _, T( N
=> 更正
  M! k: j' M+ y( l$ |% @: uIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW6 ^! X' }3 r2 _5 M% r/ Z$ Z
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM. c8 p$ B1 X6 G# ^4 d
回復 32# tuza2000

* a5 V: H) h; `4 K上面說明有誤~+ E# {1 a6 u" l% k( t
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接+ S# R% U. J7 `5 e0 i
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)* }' A- _) w( d- y
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻) D* [4 w2 ]  f5 P4 k% U+ j
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
0 o1 J" o' N3 A3 Z3 ]0 x) ~5 O% O6 ?Ref: silde2219
7 D% g; g" H6 ~- D; rStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
' [7 t5 ]5 e- W1 S& M0 n9 {4 l9 ?Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
, y% \1 F1 G$ x$ ^- B3 ]5 NNoise of a current mirror with series R:
/ C. f' |& z4 I+ O8 `9 V; J0 N前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
, T1 l. v6 b) Z- L3 s還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
. A9 {, I: w* t& T9 i0 w謝謝~~幫忙回附一下! P3 q" O% {: T( H5 @2 |! p( L
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 05137 s8 {6 ?9 s6 G% Z
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下/ E! p7 y8 _! X+ ~  z
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
1 D: y# a7 l: c( r, ]4 v2 v2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。1 N1 |2 T  O" `
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
$ b  R# i( S' F' o9 z$ J分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下/ F2 c, ]8 F: L1 H% x' l
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。3 N5 V$ e- i  V9 ~6 j
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。8 \6 b7 n4 k/ w: g6 T
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
9 P6 \8 {6 U# p& D- ~$ f8 TVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)7 i* W" ~# p) p4 N7 }* c
) r) F# C' J) U" q" w
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C28 p  x2 o1 g6 Y
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻2 c" [& x* ~3 G
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2), n3 c8 m) B3 P( }2 H8 ]
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222. p0 T  U9 \/ |$ e* \
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
7 `" `8 B, a' c% [  k
1 e5 I8 Y- M+ Y, [=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C22 f: ~) \' J- [# L9 }* s6 u9 z, B
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
7 f0 W  e5 I7 _  V3 k# ?所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
! Q2 u) z3 }; P( M2 r. d# I
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
" ]+ M* c  q3 ^Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
, E: @- _* k6 d" m7 y. U+ u3 j& ~9 f' v6 L" J& N' Z' d! T% I& S8 b
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2/ J/ ?# G  w" }( H7 F
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
0 ]/ [: m" n0 f8 V6 s7 M所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
4 D! F; n( ?. f2 ?1 v
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
4 |$ X6 x) y0 d  C/ UVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
0 }" U- E" W( m' e: v* T
* S0 S9 A0 @; L=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
4 G7 r1 i* L3 x用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
) q( b# a' [; R; F' s9 c# f所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)$ T* O' t' b6 w5 ^# B( U
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
1 ?  y* r3 d# P. u) E; _; g1 s$ P' x$ j9 _# c. s1 }& r
gmmax 應該是C1WC1/2C3
0 D8 |4 u- B: h  O" r6 j
( g1 i" S, P3 x/ [, M=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM' {6 x; Y' e! N; i
slide 2222
4 w2 Z! C/ J" A3 K# l# f* d% AVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
2 G8 G- f5 ], K& h$ _
gmA~ 4RsCL^2Ws^2' K, w4 ?5 h* ~% s3 z# P
and 4WsCL^2/QCS: b2 f2 c4 N3 ?2 y0 O+ n) L, C2 F
. G& x# `- @- v; {( K

: v% F4 F" I8 E) C
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
% E+ ]4 z) _  j+ m  e+ T: I' Q, h& E" j( W1 h: t
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)) `9 I4 _2 l2 ^7 C  p

" F. t& C7 u# v) ~/ b8 N, m. ghttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators + l8 E& D, @* m  y% a; R2 j7 Y
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis6 l9 a6 M4 M8 O. F: d/ n

" _. {4 k- L& o, @1 P2 `https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing/ U8 n; p7 r, x/ M5 [8 {
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