德州儀器宣佈推出30 多款全新元件

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" v9 d6 ?- b% p* }$ t. R! J+ V單通道 2.5A/5A閘極驅動器支援再生能源與工業應用 擴增 TI IGBT 及寬帶隙驅動器系列產品
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/ `4 u$ D2 b. g& h; Z(台北訊，2013 年 3 月 5 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出業界首款35 V 單通道輸出電源管理閘極驅動器，針對絕緣閘雙極電晶體 (insulated-gate bipolar transistors；IGBT) 與碳化矽 (silicon carbide, SiC) FET 而製。TI最新 UCC27531 與 UCC27532 輸出級閘極驅動器，支援獨立輸出，可為隔離式電源設計提供最高效率輸出驅動功能、最低傳輸延遲及更完善系統防護，應用範圍如太陽能 DC/AC 逆變器、不斷電電源供應與電動車充電等。
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0 D6 |. n" w: N  t3 x! A* m現今再生能源應用需要更有效率、安全地傳送電力的電源元件。設計人員希望採用在超過 400V 的電壓下仍可降低功耗的IGBT 或最新 SiC FET。這些裝置不但支援高達 1200V的暫時過電壓 (Stand-off Voltage)，而且提供比同等 MOSFET 更低的導通電阻 (ON resistance)。TI 微控制器或專用數位電源控制器 (如 UCD3138) 可管理這些裝置。此外，以新一代 IGBT 和 SiC FET 為基礎的設計方案需要從功率級雜訊開關環境中隔離電源與訊號。

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UCC27531 和 UCC27532 可避免數位控制器在太靠近電源電路系統的地方運作，延長隔離式電源設計方案的壽命。
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3 T- l, @3 |$ a; W9 EUCC27531 主要特性與優勢：
•        強大輸出驅動功能：2.5 A 源極與 5 A 汲極峰值電流，支援 IGBT 快速充電，並確保可靠且有效率的運作；
' X: i  L( N/ P3 l& e•        最快速傳輸時間：17 奈秒 (ns) 標準延遲值可提高驅動器效率；
•        高可靠度：UVLO 設置與軌對軌輸出電壓，可提供系統保護；
•        處理高雜訊環境：負輸入電壓處理使驅動器能夠支援多種工業設計；
•        系統保護：獨立輸出配置可提高米勒導通抗擾 (Miller turn-on immunity) ，避免 IGBT/MOSFET 損壞。
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IGBT 驅動器產品陣營持續擴張
最新輸出驅動器為 TI 驅動 IGBT 類比及數位控制器系列的最新產品。隔離式閘極驅動器，如 ISO5500 ，可於大電流、高電壓設計中提高安全性與系統效能。除此之外，該驅動器還可長時間提供經過高可靠度驗證的 SiO2 介電 (dielectric) 。TI 亦提供豐富的單雙通道 5A 高速低側電源管理閘極驅動器系列產品，如 UCC2751x 和 UCC2752x 系列等。
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7 }) O& E' `+ @4 ~3 a+ t) v封裝、供貨與價格
UCC27531 與 UCC27532 閘極驅動器現已開始供貨，採用6 接腳 SOT-23 封裝，每千顆單位建議售價為 0.75 美元。可透過 TI eStore 購買 UCC27531EVM-184 IGBT 驅動器子卡評估模組，每套建議售價為 49 美元。此外， PSpice model 模組與《IGBT 35-V 單通道柵極驅動器》應用手冊可加速設計流程。