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新 High Speed 3 IGBT 系列針對高達 100 kHz 之應用作最佳化設計。相較於前一代產品,整體關斷損耗降低了 35%,這可歸功於極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短了 75%,進而達到 MOSFET 的關斷切換特性。
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' f- S1 ]6 S/ p: S6 v' q7 V導通飽和電壓在整體損失上扮演關鍵角色,能在切換損和導通損之間,掌握良好的平衡。新的 High Speed 3 系列採用英飛凌業經驗證的 Trenchstop™ 技術,擁有極低的導通飽和電壓,因此不僅具備極低的切換損失,導通損失同樣極低。
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$ k/ T8 E# v- j; j* JHigh Speed 3 系列高速型 IGBT 內含一飛輪二極體 (free-wheeling diode),此二極體尺寸已針對高速切換作最佳化設計,保持高柔軟性,應用於電磁干擾亦有非常優異的表現。 2 g, |, c! n( w' {+ U5 c( ?+ j2 S
" E( @' t6 [; k( G上市時間與定價$ m2 b4 |$ y( z+ t- m7 n% f
+ I9 f5 ?0 I, P/ t$ i符合 RoHS 規範的新款 High Speed 3 系列提供600V 、 20A 至 50A 的選擇,以及1200V 、 15A 至 40A 的版本,且已全面量產。$ V3 R1 R% e0 T/ ^
. Q+ Z! E6 G1 H; |% E2 a% T# s樣品的價格則為 1.90 歐元 (600V, 20A) 至 5.10 歐元 (1200 40A)之間。 |
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