新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

tk02561

Ramtron推出可與飛思卡爾Tower System搭配使用的F-RAM記憶體模組
/ R: M* e+ s4 T! l0 P6 k藉著以基於飛思卡爾系統解決方案中的F-RAM記憶體來快速構建原型，讓新增模組化平臺可加快開發速度
' Z: G* U. M9 l' U
; Q- K4 U) t+ A# J2 n  D2 T! X
7 q- z8 E) L. z  ~, _; ^, u% w世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣佈，即刻起開始供應可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開發平臺共用的全新F-RAM記憶體模組(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM磁芯記憶體和整合式產品的擴展集，為採用飛思卡爾基於ARM® Cortex™的Kinetis®和i.MX、ColdFire®、PowerQUICC™、QorIQ®和其它微控制器和微處理器方案來開發產品的工程師，提供了一個易於使用的平臺，以便在其設計方案中展示、評測和使用Ramtron的F-RAM記憶體。

tk02561

Ramtron的F-RAM磁芯記憶體和整合式產品是要求高資料完整性和超低功耗之應用的理想選擇——這與飛思卡爾在汽車、工業，使能技術(enabling technology)和聯網方面的目標市場完全吻合。F-RAM具有天生的高耐用性、快速單週期和對稱讀/寫速度、低能耗、對伽瑪輻射的承受能力和抗電磁雜訊干擾能力。TWR-FRAM是為了可以讓客戶使用Ramtron的全部產品線來開發產品而設計的，提供高達8Mb的磁芯記憶體產品和精選記憶體介面(SPI、I2C或並行)，以及Ramtron處理器伴侶、狀態保存器，還有單獨銷售的WM72016-6-EVAL等無線記憶體產品的介面。
2 e) u) t7 j& D! P( D/ ^. [' d, ~
價格和供貨
7 F! P* z9 ]  g- u9 N
! l3 t* Y$ l; m5 g- v* Z& P, @7 L2 ~1 LRamtron的TWR-FRAM記憶體模組可經由Future Electronics、Digi-Key和Mouser Electronics公司在世界各地供貨，客戶也可以通過其它Ramtron /飛思卡爾共同授權販售者 (例如Alltek、Tokyo Electron Devices、WT Micro和Farnell) 訂購TWR-FRAM。TWR-FRAM模組是特別以飛思卡爾的Kinetis K53 Tower System kit (TWR-K53N512-KIT)來開發的，並且也是為了可以當作周邊設備模組使用而設計的，可以與任何飛思卡爾Tower System控制器或處理器模組共用，構成完整的Tower System元件。
- t! S* m9 [6 e
" U- z7 [+ u% D+ iTWR-FRAM的所有代碼和範例專案檔案均是為了與IAR® Embedded Workbench和Keil® µVision4 評測授權許可(evaluation-licensed)開發工具一起使用而建構的，這些工具包含在飛思卡爾Tower System開發平臺中，也可從網址www.iar.com及 www.keil.com.下載。客戶可從www.ramtron.com/go/TWR-FRAM下載更多資訊和TWR-FRAM開發工具，並且可從www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx獲得高解析度的TWR-FRAM產品照片(從下拉式功能表中選擇TWR-FRAM)。
) h% h' Q1 h. W: A
6 R8 T' ?) F" e4 ?& Z9 t( vTWR-FRAM記憶體的建議轉售價格是99美元。

tk02561

Molex推出新一代高性能超低功率記憶體技術 DDR3 DIMM記憶體模組插座滿足不斷增長的嚴苛高密度應用需求
1 P4 |8 }8 S8 {; p7 n/ m' B
(新加坡 –  2013年5月16日) 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司宣佈推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 記憶體模組插座產品組合，這兩款系列產品均可滿足電信、網路和儲存系統、先進運算平臺、工業控制和醫療設備中對記憶體應用的嚴格要求。
0 G1 I4 B7 }! i' R# ~
% s$ U9 @1 Y4 b! V. lDDR3是一項已制定完成的DDR DRAM介面技術，支持時鐘頻率為400 至 800 MHz的800 至 1600 Mbps資料速率，是DDR2介面資料速率的兩倍。採用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2在功耗上減少30%。Molex的DDR3 DIMM插座具有比標準設計更低的底座面，讓ATCA刀鋒系統中可以使用底座最大和高度低於2.80 mm的極低側高模組。新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低位準接觸電阻，可以使用已註冊的DIMM模組及降低刀鋒式伺服器中的功耗。

Molex產品經理Douglas Jones表示：“隨著更高頻寬需求的不斷增長，擁有以較快速率傳輸資料而不犧牲寶貴空間或功率的能力是十分重要的。我們的客戶在使用DDR3 DIMM插座時，能夠利用終極高性能記憶體互連，同時維持或縮小現有封裝尺寸和降低功耗。”

Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型的外殼和閉鎖(latch)設計，實現氣流最大化及消除運作期間所聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作及輕易地移除高密度記憶體模組。2.40 mm的低底座面已將垂直空間優化，以便提供更靈活的插座模組設計高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座可提供極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度等不同的版本。與標準壓接終端相比，這些壓接插座具有更小的針孔型順應引腳，從而為更高密度的跡線路由釋放寶貴的PCB空間。所有Molex的空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，而SMT版本則不含鹵素。
- l5 a' t# {- e  s* ]4 I( ]
Molex超低側高DDR3 DIMM插座具有僅高1.10 mm的底座面，是產業中最低的。該插座在PCB上提供最高20.23 mm的垂直空間來安裝高密度的DIMM，適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用。這項規範要求前板(front board )PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座還具有更小的閉鎖動作角度，可以使用比標準DIMM插座更少的PCB空間，改善氣流和使已安裝的元件變得更接近。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，將採用波峰焊和高溫紅外回流焊作業變成可能。

tk02561

東芝啟動業界首批符合UFS 2.0版本的嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品出貨

( X6 s* K  B+ L7 L7 b% L(20140428 17:57:00)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)旗下的半導體和儲存產品公司今天宣布，即日起啟動符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品出貨，東芝此舉為業界首例[2]。這兩種模組還整合了UFS 2.0版本的選用功能——5.8Gbps高速MIPI M-PHY[3] HS-G3 I/F，並實現了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。
. I* H0 {( s$ r
傳送速率的加快可縮短推出各類應用，拍攝數位靜態影像，以及在智慧型手機或平板電腦等行動產品上播放及下載大型資料電影和音樂檔所需的時間。

隨著主機晶片資料處理速度的提高，以及智慧型手機和平板電腦等各種數位消費產品無線連接中寬頻的增大，對於支援高解析度視訊的大密度、高性能晶片的需求也將繼續成長。
$ B; b. h0 e% [7 u  |  F6 o2 r
實務證明，東芝是這一重要領域的創新者。透過成為業界首家提供高性能UFS模組樣品的公司，東芝正進一步鞏固其領導地位。

東芝將安排量產，並將把其他密度的產品加入該陣容中以回應市場需求。

* Y9 v0 I; j( x) N; l" z' A新產品概覽
  o. C4 N$ f+ r' q* Q產品型號   密度         封裝
" A$ O& w1 I1 F- G4 yTHGLF2G8C4KBADR 32GB 153球細間距球柵陣列(FBGA)  11.5x13x1.0mm
THGLF2G9C8KBADG  64GB 153球細間距球柵陣列(FBGA)  11.5x13x1.2mm

tk02561

主要特性
* U% S/ M( [' c2 V& T: B* U
. Z0 i9 G* _7 O* t0 k" D& V1.符合JEDEC UFS 2.0版本的介面可處理基本功能，包括寫入區塊管理、誤差校正和驅動軟體。該介面簡化了系統開發，使製造商最大限度地減少開發成本，加快向市場推出新產品和升級產品的速度。
2 J7 l  n) r$ h+ M; \0 d. z
* Q' g! b/ w' v* k& Z8 b2.該產品具有超高的讀取/寫入性能，且透過支援UFS 2.0版本的選用功能——雙通道MIPI M-PHY HS-G3 I/F，其最高傳輸速率高達11.6Gbps。

3.兩款新產品均採用小型FBGA封裝，且具有符合JEDEC UFS 2.0版本的信號佈置。

# W4 C* S* z- S, l9 f) H) V7 Y主要規格
$ u( A* ^$ w, C8 z  J& g
! e) B6 X0 G8 A# d/ r介面 JEDEC UFS 2.0版本標準

電源電壓         2.7V至3.6V（儲存磁心）

+ T- D& P& Q7 m+ U# H% @8 r6 I8 p1.70V 至1.95V（記憶體介面等）
1.10V to 1.30V（控制器核心，UFS I/F信號)
- x% e8 L- Q6 M: A; ?( s2 f- X
通道數量
下行2通道/上行2通道

I/F速度
5.8Gbps/通道
) @. G6 t) u3 R
$ f" M% b) Q7 S# U; o1 q: k溫度範圍
-25℃至+85℃
( D& m* @, m4 X3 A0 i
封裝
  H1 ]! F! H& R$ Q153球細間距球柵陣列(FBGA)
4 M1 Z+ q! l0 T% Q  y# C11.5x13x1.0mm (32GB) / 11.5x13x1.2mm (64GB)
& t5 v3 C) E. D9 l. S
注：
[1]通用快閃記憶體是根據JEDEC UFS 標準規範建立的一種嵌入式記憶體產品類別。
) `7 U2 Y; o' a: i$ L( x- }[2]嵌入式NAND快閃記憶體模組：2014年4月25日，東芝調查。
[3] MIPI和M-PHY是MIPI Alliance的商標、服務商標、註冊商標和/或註冊服務商標。