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Rfaxis公佈用於Wi-Fi行動手持設備的CMOS射頻前端技術突破
新出爐的RFaxis白皮書展示了該公司在Wi-Fi和3G/LTE共存行動平台的射頻性能和電池效率方面所取得的重大改進
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加州歐文--(美國商業資訊)--專注於為無線連接和行動通訊市場提供創新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導體公司RFaxis今天宣佈發佈射頻前端技術白皮書《用於行動手持設備應用的CMOS Wi-Fi射頻前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi RF Front-Ends for Mobile Handset Applications – Part-I)。該系列白皮書共三部,本次發佈的第一部討論了Wi-Fi/行動手持設備雙模設計所面臨的射頻相關技術挑戰。該白皮書還討論了Rfaxis為因應當今射頻/無線產業面臨的這些關鍵問題所開發的部分技術解決方案。5 y, A6 N0 _" X7 y7 W% O4 m
3 C5 X4 X9 y& C; D% u; b據Linley Group統計,智慧手機是無線產業成長最快的區隔市場之一,預計2014年智慧手機的出貨量將達到6億部。這些先進的行動裝置可同時支援3G/LTE網路和Wi-Fi無線連接,因此用戶可以一邊連接行動網路進行語音通話,一邊透過Wi-Fi無線網路上網搜尋或下載資料檔案。在內部空間有限的手持設備中同時執行不同的無線電會給射頻設計帶來前所未有的挑戰,需要在保證性能水準的同時最大程度地降低物料清單(BOM)成本。
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新出爐的RFaxis白皮書提供了多家一線供應商UMTS/WCDMA接收頻段(Band-1, 2.11-2.17GHz)不同Wi-Fi功率放大器和前端模組的綜合測試資料和雜訊貢獻值的對比情況。多年來,射頻/無線產業一直在採用不同的材料/製程技術開發PA/FEM,包括GaAs HBT、GaAs pHEMT、BiCMOS SiGe HBT和最近的塊狀射頻CMOS。 |
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