ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
5 a' n0 d3 C( u( Q/ Q- @" }  E1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
. D5 k1 Z( U& `3 @* N电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
/ m, g' v# u2 ?2 X' @1. 請問製程為何?
) n0 u7 X  r  s. w2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
0 v7 [! I# W$ U8 D! }; |klim 發表於 2011-1-18 14:32

5 b9 T3 ?7 V0 `! A
1), 請問製程為何?
! \8 n; R4 N7 [" y tsmc 0.18um
* g. L3 d3 e. a2 h! H2 Q, @
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

; U- [& c$ X! ?' i$ s3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路