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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › Hspice mos電容或試 varactor的寫法?
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[問題求助] Hspice mos電容或試 varactor的寫法?

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1#
發表於 2009-6-10 23:34:31 | 顯示全部樓層
一般我們Layout在做電容,通常是用B=D=S Mode
; I- |! R. j) X$ S如果要用Accumulation Mode
( Z; D4 D, b. w% S/ h就是原本在N-Well內的PMOS換成NMOS2 }$ O4 t1 g1 E) D" Q& ~- |6 z
也就是NMOS in N-Well,有些FAB廠會不允許) S/ P( U5 ?) m3 h
至於Hspice寫法應該是用NMOS,而將原本P-Sub換成N-well
" [6 O7 [% D$ z# `, Q; o$ H
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