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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。6 ^$ s; |+ F0 K5 l# u$ A
2 M7 T4 L9 B& l7 {8 p1 y5 l東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。, \/ r K% `# \2 D2 K D d
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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8 N- ?* i. W! q$ H8 \/ z2 S展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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Fab 5概況
M, [) k) R$ p4 h- e' P4 P大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
/ o0 L7 |/ e) H4 z7 c地上建築面積: 約38,000m2
6 `2 K* z& K8 {3 h6 f總建築面積: 約187,000m2 - M2 }1 m" ^8 o2 N$ R5 ]
開工時間: 一期:2010年7月 ' q2 E4 I; d( R# E& z9 B2 L
二期:2013年8月 . A' }5 x, j+ Z1 Y
完工時間: 一期:2011年5月
& T# w* j9 X# A8 e二期:2014年夏(目標)
, _ w& d* a, t K) M; \投產時間: 一期:2011年7月 ; N) ]4 o% R/ ^6 b# h6 i4 r
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型3 c2 Y$ \2 d8 c$ ?. G2 n* {, `
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四日市業務部概況 % a+ w6 F0 q' ^0 N
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture ) P0 A/ k- A+ e6 s2 o
成立時間: 1992年1月
2 u0 \) K0 [- ^2 G% U. T+ ~: {- A總經理: Tomoharu Watanabe
8 G S. N/ o X" G員工數量: 約5,200名
: F( J5 Y5 X. F. l- ~, @: ^+ ~(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
% {0 N( X, X4 r1 r( I5 D場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) ; J6 v! c; E3 x( A3 I
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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