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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis
2 l) k" x7 h! q在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner
; E6 L) b% Y5 A2 }4 i9 v$ z4 i* }3 z5 K* b0 r! ]7 P6 C
Device Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況
, f& M n( J4 e電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低
' S0 Y- j: s+ b* u! M1 W2 Z' ]% y
這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case
, M: O7 |3 a% M1 ]! B5 f8 r$ C如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.
6 o+ n+ }7 `$ \: @# {( y- }- I" k- Z
IC製造出來的良率 自然就會提高很多.2 u: X) p# J7 x" q& Z% M
! E# E% r, P7 `4 G+ v
至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料0 P! e' m1 X8 \* o! n) J
大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法. I& m, ?2 S/ C4 R6 P$ c
在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值8 z2 e- }/ V0 l. R E$ L% [9 |" s
(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免4 w- t3 |) i2 K2 X
下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)
( k2 s) Z5 z" e2 R# }) g: h( o. G9 ^9 o# O
範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升
3 u+ s5 D9 J% |4 A* t& N+ {" W/ V範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好: S# y2 y9 O E! z9 W0 z& b
# C3 Q, L1 y- B8 ^% j- Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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狗仔卡
發表於 2008-1-29 02:13:33
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