现代的高压ESD

amanda_2008

最近要用到现代的高压ESD，有谁可以提供一些参考吗？
* K3 B" I+ u$ H7 \  f因为现代那边没有提供高压的ESD rule，自己画的时候不太敢随便画，，
9 e* ?7 G( e6 O& C- I( \* N& `" ~希望有经验的前辈能给点建议，大致的rule可以建议一下吗？

amanda_2008

我想先問一下阿，平常的工作電壓是20v，那對於ESD的畫法應該也會有差吧？
我的高壓是指芯片平時工作時的電壓是20v，而ESD的承載電壓，
是HBM2KV，MM200v，
如果能給我一個答復，我感激涕零，
* |2 s/ J& v$ x# T5 e% |+ K但是不好意思，沒有米米的回報，因爲我的已經是負的了

amanda_2008

呵呵，謝謝版主同志，
$ Q8 l! J" j* {不過不同的工藝，我是怕ESD的rule待會不滿足，
7 d2 i% [; d" M, `: y比如説D端contact到gate poly的距離大致怎麽來決定，
+ j$ V1 K2 |. }! @, U7 ~D端或者S端到guard ring 的距離我又大致可以設為多少呢？
雙層guard ring之間的pitch又是多少，然後guard ring的diff的寬度要多少呢？
' O9 |) |8 k2 Q4 A. ^9 O. k版主同志，麻煩你再告訴我一下哦

amanda_2008

谢谢大家的热心答复
0 O: ^3 f1 c9 _. z, M& E嗬嗬，我在题目里有标说是现代的哦，
( b$ S4 W2 `; ?2 l$ J7 b其实有时候代工厂可能没有你现在要用工艺的esd rule,
所以这个时候就只能凭经验来画了