RAMTRON擴充FRAM-ENHANCED MCU家族陣容 符合工業標準可直接替換8051架構的微控制器

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Ramtron推出首款帶有整合F-RAM記憶體的事件資料記錄器

FM6124為數位式事件監控提供單晶片的解決方案，是工業控制、醫療和計量市場的理想選擇
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世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出半導體業界首款基於F-RAM的事件資料記錄器 (Event Data Recorder，EDR) -- FM6124，這是一款整合式的事件監控解決方案，能夠對狀態的變化進行連續性的監控，將資料儲存在F-RAM中，並可以對系統發出有關變化的警報。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似，具有簡單的器件設置和資料檢索功能，以便於系統的整合和縮短設計週期。

( [5 ]( _4 C" b- YRamtron策略市場拓展經理李鴻鈞表示：“FM6124是我們第一款的EDR產品，也是後續所推出專用產品系列的基礎，其獨特之處是在於它在單一的封裝中提供了數位式事件監控。該器件可由Ramtron進行定制，以監控除邊緣探測信號　(edge-detected signal) 以外的輸入。例如可預設最大或者最小脈寬的脈衝寬度監控，以及進行頻率監控。”
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FM6124是針對工業控制、醫療和計量等廣泛的工業應用而設計的。EDR能夠實現許多的應用，包括行動/設備/環境監控、檢修時間安排、動力系統管理、汽車/工業自動事件記錄、車輛/行人流量記錄和監視系統等。

FM6124簡介

FM6124備有用於儲存事件記錄的32KB F-RAM記憶體，有高達24KB的 F-RAM可以配置，以用來儲存事件/使用者資料。晶片上帶有日曆的即時時鐘 (RTC) 可啟動事件的時間戳記 (time stamping)，並作為系統的時鐘和日曆。RTC有助於對所截取到的資料 (captured data) 進一步進行分析，以便讓系統用來產生設備故障或請求維護的警報。
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0 e0 d7 Z" w3 e8 I3 t" O這款EDR產品包含12個數位式輸入，可以單獨進行配置，在上升或下降沿觸發事件記錄。FM6124的F-RAM記憶體最多可以儲存4,000個事件記錄，具有I2C介面，能夠支援高達100kbps的通信速率。I2C介面可以讓FM6124晶片靈活的放置，即遠離主系統並靠近正在監控的設備和/或感測器。而同一個I2C匯流排可由最多達四個的FM6124共用。

4 e6 e1 n, d: M' KFM6124的其他功能包括：一個16位元的電池供電事件計數器輸入、一個早期電源故障監控輸入，以及一個使用者可編程的64位元序列號。FM6124在整個工業溫度範圍內 (-40 至 +85℃) 於3.0至3.6V電壓下工作，並且採用 44腳的 QFP封裝。要瞭解產品全部資訊，請訪問公司網站：www.ramtron.com/go/EDR。

FM6124特點：
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  ?" P+ X9 ^7 o記憶體容量：用於記錄事件/使用者資料的32 KB F-RAM
電源：3.0V – 3.6V
通信介面：I2C (高達100kbps)
) ]: l; a, L8 l$ I9 _! Y( }4 a% d輸入：12個數位式事件輸入
記錄捕獲：最多達4,000個事件記錄
; ~- H4 _- \: e7 T" |; w6 y即時時鐘：RTC/日曆，提供事件的時間戳記
- ?; U) j- \5 a" m: `# F5 r周邊：早期電源故障警報、16位元非揮發性事件計數器、可編程的64位元序列號
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7 H- o; E1 [/ G3 T供貨
FM6124的樣品現已在供應中，採用符合RoHS標準的44腳QFP封裝。
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Ramtron推出速度更快及功率更靈活的1 Mb並行F-RAM

Ramtron全新高速F-RAM系列之首款並行器件

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6 \* e  A0 R5 t9 D; P4 a) `全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出全新並行和串列F-RAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品中的最新器件FM28V100，是1百萬位元
(Mb)、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲
(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性。FM28V100是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦及其他應用領域中，由1Mb電池支援SRAM記憶體升級的理想產品。
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' Q% ]# [2 i9 jRamtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋道：“FM28V100為Ramtron二進位寬產品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代產品，為希望在系統中省去電池或外部電容器的電池支援SRAM或NVSRAM用戶提供了簡便的升級途徑。”
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關於FM28V100
FM28V100是128K x 8非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM)，讀寫操作與標準SRAM相似，並可在掉電後保存資料。FM28V100提供超過10年的資料保存，能夠消除來自電池支援SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺點及設計複雜性問題。從系統中去除電池，可讓系統在更寬容的工作溫度範圍運作，而且有利於環保。F-RAM具有快速寫入和幾乎無限的寫入耐用性，比其他類型的記憶體更加優勝。
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FM28V100的系統內運作與其他RAM器件相似，可用作標準SRAM的普適型
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. X7 n5 ]' ?. |, L替代產品。通過轉換晶片引腳或簡單地改變位址，即可觸發讀/寫迴圈。F-RAM記憶體採用獨特的鐵電儲存製程，因而具有非揮發性，適用於需要頻繁或快速寫操作的非揮發性記憶體應用。FM28V100可在-40°C至+85°C的整個工業溫度範圍工作。
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( S. S! u( Q8 l9 F4 F' @9 e6 W3 F關於F-RAM V系列
Ramtron的V系列F-RAM產品採用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產製程製造，可實現器件的性能提升，當中包括：
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4 y1 }3 M! Z! R6 l  J3 t( F$ {, |升級的記憶體性能：通過推出FM28V100，將1Mb並行記憶體的週期時間從150ns減少至90ns，較Ramtron現有的1Mb並行F-RAM記憶體提升60%。與Ramtron現有的串列F-RAM產品相比，SPI和I2C串列V系列F-RAM產品的讀/寫性能提升了二至三倍。
更低、更寬泛的工作電壓範圍：由德州儀器採用130ns F-RAM生產製程所帶來的技術進步，F-RAM V系列現提供將F-RAM工作電壓調低至2.0V的彈性，讓F-RAM可在更多的電子系統中以原有的工作電壓運作。
$ _5 |+ E/ v* B0 O4 K4 E3 w$ J寫入保護特性：並行F-RAM V系列產品具有軟體控制的寫入保護功能，其記憶體陣列分為8個相同的模組，每個模組可在軟體控制下各自實現寫入保護，而無需更改硬體或引腳輸出(pin-out)。
  A5 i- G: e+ {+ R+ _器件ID：V系列中的串列F-RAM產品具有一個24位元器件ID，這是Ramtron產品所獨有的，以防止產品出現偽造。
% t* t, S! K$ o) i# w3 G獨特的序號：V系列中的串列F-RAM產品採用64位元的序號訂購，由一個16位元客戶ID、40位元獨特代碼，以及需要獨特的電子編號的8位元迴圈冗餘碼系統校驗所組成。
可定制的重置電壓：V系列串列F-RAM備有多種重置電壓，從2.14V至3.09V。
$ ^8 y$ p1 a4 n* c供貨Ramtron現提供符合RoHS標準的32腳TSOP-I封裝FM28V100，查詢價格詳情，請與Ramtron聯繫。

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Ramtron推出新款32Kb器件

擴大 F-RAM 串列記憶體產品線的陣容

最新雙線串列介面記憶體具有運作功耗低和資料保持時間長的特性

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5 T, s5 y6 m, g, f+ \  I6 p世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出一款編號為 FM24CL32的串列非揮發性RAM器件，它可提供高速讀/寫的性能、低電壓運作，以及出色的資料保持能力。
FM24CL32是32Kb 的非揮發性記憶體，工作電壓的範圍為2.7V至3.6V，採用8腳的SOIC封裝，採用雙線
(I2C) 協定；並提供快速存取、無延遲 (NoDelay™)寫入、幾乎沒有限制的讀/寫次數(1E14) 及低功耗特性。FM24CL32 適用於工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和計算應用及其它領域，可當作串列EEPROM 記憶體的直接硬體替代產品。

Ramtron市場推廣經理Mike Peters 指出：“FM24CL32 為我們的標準記憶體產品系列，增添了帶有用戶熟悉的 I2C 串列介面低功耗 32 Kb器件之選項。由於F-RAM 的寫入電路不需要內部升壓電源，因此對需要頻繁或快速寫入操作的資料收集應用而言，FM24CL32是一款非常適用的非揮發性記憶體。”

% d; ]' {% Y' U在要求嚴格的工業控制應用中，如果採用EEPROM器件，其較長的寫入時間可能會讓資料遺失，而FM24CL32則可避免這種風險。此外，FM24CL32 即使在75℃溫度下工作，仍然能夠穩定地提供長達45
年的資料保存時間，充分滿足電力計量產業對資料保存期限的要求。

關於FM24CL32

FM24CL32是一款串列鐵電隨機存取記憶體，被安排成4,096 x 8位元的記憶體陣列，採用業界標準的雙線
(I2C) 通信介面來進行存取。不像EEPROM，在使用FM24CL32時並沒有寫入延遲，而且也不需要進行資料輪詢即可執行下一個匯流排週期。FM24CL32 以高達1 MHz的匯流排速度進行寫入作業，支持100 kHz 和400 kHz的舊有定時(legacy timing)，並提供長達45年的可靠資料保存期限，同時消除了由EEPROM和其他非揮發性記憶體導致的複雜性、額外的費用和系統級可靠性的問題。
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* x& {; h# y0 v) V0 [, [/ K0 VFM24CL32 具有2.7V-3.6V 的低工作電壓，有效電流為70 mA(100 kHz 下的典型值)，待機狀態下為12mA，可在-40℃至+85℃ 的工業溫度範圍內正常工作。
' M& y! y8 S9 _+ j- s9 ?價格和供貨 Ramtron現提供採用8腳、與“綠色”/RoHS相容的SOIC封裝之FM24CL32樣品，訂購1萬片時，單價從0.99美元起跳。
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[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-8-14 11:16 AM 編輯 ]

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Ramtron推出兩款全新串列低功耗、高性能F-RAM元件

新款串列256Kb F-RAM元件擴展V系列產品線

/ g* s! ?% c& {% @: Z# n8 l+ i全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation，宣佈推出兩款具有高速讀/寫性能、低功耗運作和可選元件特性的新型串列非揮發性F-RAM產品，它們分別是帶有雙線介面(I2C)的FM24V02和帶有串列周邊介面(SPI)的FM25V02。這兩款256Kb元件是Ramtron公司V系列F-RAM元件的最新成員，工作電壓範圍為2.0V至3.6V，採用產業標準的8腳SOIC封裝，具有快速存取、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數及低功耗，是工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲、電腦及其它應用領域的256 Kb 串列快閃記憶體和串列 EEPROM記憶體的相容替代產品。

Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 表示：「與上一代產品比較，這兩款256 Kb V系列串列件的電壓更低、性能更高，可用以替代FM24L256和 FM25L256B。我們不斷地擴展V系列產品線，履行Ramtron對環境保護的承諾，在提供功效更高非揮發性記憶體產品的同時，還要降低對電池的需求。」

) W( m! ^# L2 w, r0 k. _關於FM24V02 和FM25V02
: O  Q! \/ u" oFM24V02最高可以3.4 MHz的I2C匯流排速度執行寫入操作，同時還支持100 kHz 和400 kHz的傳統匯流排頻。該元件無寫入延遲，不需要進行資料輪詢即可進行下一個匯流排週期。此外，FM24V02還提供高達100萬億 (1E14)的 讀/寫次數，比EEPROM高出幾個數量級。FM24V02在執行寫入操作時不需要為寫入電路提供內部升高的電源電壓，因而功耗也較EEPROM低得多。FM24V02在工作模式下的耗電量低於150μA (通常在100KHz下)，待機模式下則為90μA，而睡眠模式下的耗電量更可低至5μA。
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FM25V02 在40 MHz SPI時鐘頻率下運作的耗電量僅為3mA，在待機模式下則為90µA，在
睡眠模式下則為5µA。FM25V02的典型運作功耗為38µA / MHz，比相類似的串列快閃記憶體或EEPROM產品耗電量降低了一個數量級。
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$ \7 T: F) n( u& a3 |7 K" W" _! TFM24V02和FM25V02均具有標準的唯讀元件ID，可讓主機確定製造商、產品密度和產品版本資訊。兩款產品還提供了可選且獨特的唯讀序列號，它可用來確定帶有全球獨有ID的電路板或系統。最後，FM24V02 和 FM25V02可確保在-40°C至+85°C的工業溫度範圍內工作，極度適合工業用途。
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4 g6 a5 t* P/ Y6 P3 O, ~) Z) B; q關於V系列F-RAM
$ C8 t1 s4 Y- R6 W3 |5 }+ Z& ?6 IRamtron的V系列F-RAM產品採用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產製程製造，包括多種容量的串列I2C、串列SPI和位元組寬並列記憶體(bytewide parallel memory) 。產品以先進的製程製造，能夠提高元件規範，並增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外，V系列F-RAM還包括了以下元件：
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$ i; i1 T+ h1 X9 z# \! w3 Z# d價格和供貨Ramtron目前已經可以提供採用符合RoHS標準的8腳SOIC封裝的FM24V02 和 FM25V02樣品，訂購1萬片，FM24V02的起價為每片2.39美元；FM25V02起價為2.35美元。

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Ramtron在二○一○年矽谷嵌入式系統會議上展示MaxArias無線記憶體 Ramtron展示Gen2大記憶體無線IC

全球領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation 在美國加州聖荷西的McEnery會議中心舉行的矽谷嵌入式系統會議暨展覽會(Embedded Systems Conference—Silicon Valley)上，展示MaxArias™無線記憶體。

8 ~" F: q' I) ^- t  o# y& E在展會期間，Ramtron公司展示了其MaxArias™產品系列的創新無線記憶體技術。Ramtron的MaxArias系列無線記憶體將產業標準Gen2 RFID無線存取功能與其非揮發性F-RAM記憶體技術的低功耗、高速度和高耐久性特性相結合，可讓亞洲乃至全世界的工程師使用RF相容高性能應答器(transponder) IC來發送、擷取和儲存更多的資訊，從而擴大其系統的通訊範圍和記憶體容量。

Ramtron公司的MaxArias無線記憶體非常適合高價值資產追蹤、藥物追蹤、製造和維護記錄收集以及智慧型能源讀表等應用。
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/ e' q7 U- h! z4 C. r* T! O產品特性和優勢

4 N( I) w8 S( `9 |2 v1 j+ @: QMaxArias無線記憶體的第一批產品包括：WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為 256/512/1024 x 16位元，這些器件具有幾乎無限的讀/寫次數(寫入次數大約為1014次)，以及二十年的資料保存期。就運作範圍、持續的記憶體存取頻寬及可靠性而言，MaxArias無線記憶體具有完全對稱的讀/寫運作能力，達到Gen-2標準的最大資料速率。

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Ramtron的MaxArias無線記憶體具有超越傳統以 EEPROM為基礎的RF IC的獨特優勢，包括：
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, y& c- \/ V4 Y•更高的RF靈敏度：WM710xx能實現零功耗寫入運作，因而在執行寫入時不會影響功率或速度。
•更大的運作範圍：使用低功耗F-RAM的MaxArias無線記憶體具有逾十公尺或更大範圍的對稱無線讀/寫功能
•出色的寫入速度：MaxArias無線記憶體的速度較EEPROM快六倍，能夠實現整個記憶體區塊的寫入運作，以更快的速度儲存更多的資料，免除以EEPROM 為基礎的器件的「預備時間」(soak time)限制
! D/ ~- y1 I4 q: P- i7 m•區塊寫入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可確保資料完整性，防止在全區塊寫入期間出現資料損壞
9 @" }+ y) `9 Q- b8 Q* Y•磁場和伽瑪輻射承受能力：由於F-RAM器件完全不受磁場的影響，並具有高伽瑪輻射承受能力，MaxArias無線記憶體是需暴露於磁場或輻射干擾之應用的理想選擇。

WM710xx MaxArias無線記憶體能在整個工業溫度範圍 (-40°C 至+85°C) 運作，並備有幾種配置，包括標準RoHS相容的6腳UDFN封裝、凸塊晶片、裸片，或經全面測試且符合ISO-18000-6C標準的電子標籤。
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關於MaxArias無線記憶體解決方案

4 Z  L( H" I1 H  y9 k6 r* RRamtron的首款MaxArias無線記憶體系列結合了最高16Kb的高性能非揮發性F-RAM記憶體和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無線介面協定標準，運作頻率為860MHz 至 960MHz。結合經優化的天線設計，MaxArias WM710xx產品系列可以使用由射頻場感應出的能量來供電。根據Gen-2標準，MaxArias晶片可接收和處理經由RFID閱讀器傳輸的指令。要瞭解有關 MaxArias無線記憶體的更多資訊，可從以下網址取得白皮書和資料表 www.ramtron.com/go/maxarias.