IR新型XPhase晶片組減少25%外部元件數目並節省45%傳動系統的面積

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IR 25V IRF6718採用新款大罐型DirectFET封裝

為動態ORing和熱切換應用提供最低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型的25V元件提供業界最低的導通電阻（RDS(on)），並且針對動態ORing、熱切換及電子保險絲等DC開關應用作出了最佳化。

IRF6718新款大型的DirectFET封裝中融入了IR新一代矽技術，提供極低的RDS(on) — 在10V Vgs一般只有0.5mOhm，同時較D2PAK的面積小60%，而且厚度小85%。新元件大幅減少了與傳輸元件相關的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IRF6718是IR第一款採用大型DirectFET封裝的元件，較競爭對手的元件擁有更低的RDS(on)，為高密度DC-DC應用，如較D2PAK面積更少的伺服器，提供卓越的效率及熱效能。另外，該元件亦有助於節省電路板空間及整體系統的成本，因為在特定功率損耗下，它較現時的方案擁有較少的元件。」

此外，IRF6718為電子保險絲及熱切換電路，提供經已改良的安全操作區域（SOA）能力。該元件採用無鉛設計，並符合RoHS法規要求。

IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET產品系列之延伸。IRF6717中罐及IRF6713小罐型DirecFET亦針對DC開關應用，並且在各自的PCB面積上提供業界最佳的RDS(on)。

產品的基本規格：

元件編號	典型RDS(on) @10V (mOhms)	典型RDS(on) @4.5V (mOhms)	VGS (V)	ID @ TA=25ºC (A)	封裝面積 (mm x mm)	典型RDS(on) @10V x 面積 (mOhm x mm2)
IRF6718	0.5	1.0	+/-20	61	7 x 9.1	31.9
IRF6717	0.95	1.6	+/-20	38	4.9 x 6.3	29.3
IRF6713	2.2	3.5	+/-20	22	3.8 x 4.8	40.1

這些元件的資料及應用說明現已刊登於IR的網站www.irf.com。