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再回答一下1 2 點, 第3點我覺得是中譯本的問題, 等晚點有翻到原文之後再答) ^" I+ _( }6 u% l. r# F
1) ICMR是以保持在saturation region為考量定義出來的, 所以會有你列的那兩個式子, 就式子而言它取的是max/min, 所以Vgs3帶min值=Vthn, Vdsat(m5)就要看你的設計, 建議用模擬才準, 純分析就用0.1~0.3吧!! 這個值要設計在多少又是個大哉問, 會影響到你current matching的好壞! 另外當Vds5<vdsat(m5)時, m5輸出電流會變小(進入linear), 這時你OP的特性會改變, 因為gm變了! 所以才會希望input不要超過vinmax, 你要超過不是不行, 但至少要保證M1 能on起來~ 同理以這架構而言Vinmin實際上是最負的supply電壓, 但那時P input 可能會進到linear(看你怎麼設計input級), 又會跟你假設的saturation條件出現差異....
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: I* A8 U6 ^2 @+ R7 S- q* N2) Vout範圍如何決定? 還是看應用需求, 最直接的考量是輸出波型會不會失真~ 二樓說的那個各減一個Vdsat是指output swing最大在這個範圍內不會失真(但實際上swing越接近兩個boundary,特性還是會跟在中點時有差異...), 模擬的確可以看到比這個範圍大, 意思是你輸出級的MOS壓進linear region而已~
u! i' F* o; ?3 {5 u0 S( s) X) y- W% m) k8 A2 C
你的問題每個人都經歷過, 書上教的是分析, 電路已經在那裡了, 他只是告訴你為什麼這麼做" a! F# A. U7 y& |" q. w
所以我們學到的是電路分析, 不是設計!& j' B7 y5 _9 J0 Q
設計剛好是反過來, 你要先知道需求是什麼, 再做出符合需求的電路, 是你要告訴別人為什麼~
7 E$ k: u8 V' ?至於每個參數要訂多少決定於你的應用, 那些數字都是有原因的! / a5 d* n z2 u( N7 r0 K
實作上完全是做tradeoff的藝術, 只要你可接受就堪用!!
/ G1 k4 Y$ C) K ~最好的狀況當然是操作在ideal case, 但進入linear有沒有關係? 看對整個系統影響多大決定!0 c! L4 Y$ Z! j3 \( v, z# p5 E
若是以練功為出發點, 還是建議先follow書上的, 搞懂每個變化造成的影響, 再來想堪用不堪用的事~ |
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狗仔卡
發表於 2010-7-7 18:14:52
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