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[創新研發] Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉

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發表於 2007-3-1 18:00:18 | 顯示全部樓層 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Editorial: MPR Analysts' Choice Awards
5 Q" w2 b8 U( {MPR Innovation Award: Razor ; I7 k1 O: ~* n' }& \
MPR Innovation Award: Eutecus& k" J; M2 h2 }  C
MPR Innovation Award: High-k 8 s. H0 i' e% A- S+ n- Q( A
MPR Innovation Award: Planet82's SMPD * a" k/ ~* }7 D) r' r) q) `5 B; p. m
MPR Innovation Award: Ambric, |; j- o" M0 E% E4 f! ~! g
MPR Innovation Award: ARM996HS
$ Y- `1 r0 D( X5 r1 WMPR Innovation Award: MRAM & y6 p; ]0 K& t& b) [9 N0 C0 u6 W
MPR Innovation Award: Intel Core
. V9 y3 {% ]( u* Z, f+ V. ~
. T" n3 k7 Y9 u: j飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項
8 `; U" b1 J8 G, bMR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體,陸續獲得業界肯定 " i4 ^# `; e9 y6 ?# U; b
6 p" D! w8 r+ g; H" @
2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾,其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。
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5 _# t5 u3 C" k/ E6 k6 v6 oMR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory,NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點,為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用,例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案,以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體,以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。
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飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示:「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定,更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商,我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品,絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」
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2 E+ K5 U5 x; y+ P獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得,他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構,於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍,候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。 ) Z  C4 A+ a$ M: V8 T' k
8 b' [2 p, S2 P: P+ }. R
有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情,請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html
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[ 本帖最後由 jiming 於 2007-3-1 06:01 PM 編輯 ]
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